与理想模型的偏离.ppt

2.3 直流特性与理想模型的偏离 西南科技大学理学院 2011.3.1 一、复 习 PN结中电子和空穴的扩散电流密度分别为 一、复 习 正偏时势垒区两边界附近少子浓度的变化 一、复 习 无限长pn结伏安特性方程 二、理想pn结模型（四个假设） （1）不考虑势垒区中的产生与复合 结果：电子、空穴电流通过势垒区时保持不变 （2）小注入 结果：多子浓度约等于平衡时浓度，对少子只需要考虑扩散电流 （3）耗尽层近似 结果：空间电荷区为高阻区，外加电压几乎降落在空间电荷区 二、理想pn结模型 （4）势垒区两边界处载流子浓度服从波尔兹曼分布 结果： 二、理想pn结模型 I-V特性曲线 三、实际PN结直流I-V特性与理想模型的偏离 1、实际直流I-V特性的特点 （1）反向： 反向V↑， 增大 （2）正向： 正向电流较小时， 正向电流较大时， 正向电流一般大小时， 2、实际与理想I-V特性曲线对比 I-V特性曲线 3、引起偏离的原因 偏离原因一 势垒区产生电流对PN结反向电流的影响 分析：反偏时势垒区总电场大于平衡时内建电场→势垒区边界处少子浓度为零→势垒区内部载流子浓度为0，即低于平衡时浓度 →势垒区内部有载流子的“净产生” →产生的电子-空穴对立即被势垒区的强电场扫向n区和p区 →使反向电流 I 增大 3、引起偏离的原因 3、引起偏离的原因 偏离原因二 势垒区的复合电流对正向小电流特性的影响 分析： 平衡时势垒区中 非平衡下势垒区中的载流子表达式为 在 在 3、引起偏离的原因 可知势垒区中 正偏时， 从 区向 区注入 →势垒区中 →势垒区中出现“净复合” 所以， 3、引起偏离的原因 3、引起偏离的原因 偏离原因三 大注入时对正向大电流特性的影响 （1）定量分析大注入 A、定义：当注入某区的非平衡少子浓度比该区的平衡多子浓度还大时，便发生大注入。 B、大注入条件 3、引起偏离的原因 当发生大注入时，该区的平衡多子浓度可以忽略 边界条件 大注入时 注：在正向电压下，当n区有浓度为 的非平衡空穴注入后，为了保持大体上的电中性，在该区出现几乎相同浓度的非平衡电子，即 大注入效应 将 与 两式代入 求得 同理P区发生大注入时P区与边界处的少子浓度关系式为 大注入效应 大注入条件下的自建电场 由于电子不可能像空穴那样从P区得到补充，所以电子的浓度梯度绝对值要小于空穴的浓度梯度绝对值。 就非平衡载流子而言，在靠近势垒区，电子的浓度略小于空穴浓度，而在远离势垒区的地方，电子浓度略大于空穴浓度， 电荷在空间上的分离就产生了一个自建电场 大注入效应 大注入效应 自建电场使电子向左作漂移运动，并足以抵消电子原有的扩散运动，使电子电流为零。 由上式求出大注入电场 根据爱因斯坦关系和载流子浓度关系转化得到 大注入效应 N区发生大注入时，空穴电流密度与外加电压之间的关系 同样可以得到N区发生大注入时，电子电流密度与外加电压之间的关系 大注入效应 当电流很大时，某区出现了大注入效应，这时注入到另一区的电流相对较小，总的PN结电流的伏安特性取决于大注入一侧的伏安特性。 曲线的斜率较为平坦，曲线的斜率从小注入的(q/kT)过度到大注入的(q/2kT) 大注入效应 转折电压 从小注入过度到大注入的电压称为转折电压（也叫膝电压），用VK 表示。 根据小注入时的电压电流关系 大注入时 大注入效应 大注入时I-V曲线 大注入效应 得到N区的转折电压为 类似得到P区的转折电压为 注：当外加电压小于VK 时为小注入，当外加电压大于VK 时为大注入。 大注入效应 将VK代入相应的小注入或大注入扩散电流密度方程，可以求出发生大注入时的正向电流密度，即为转折电流密度 2.4 PN结的小信号特性与扩散电容 一、 PN结的小信号特性 小信号近似：在直流工作点上有一个很小的电压变化量△V，由于△V很小，以至于在 △V范围I-V关系可以用线性近似，则非线性在工作点处线性处理 一、 PN结的小信号特性 1、小信号的理论分析 思路：解混合信号的半导体扩散方程，在频率不很高的情况下，得到PN结的小信号交流导纳为 在 的低频