高压对高功率脉冲磁控放电等离子体注入与沉积氧化钒薄膜的影响.pdfVIP

助 财 斟 2012年第14期(43)卷 高压对高功率脉冲磁控放电等离子体注入与 沉积氧化钒薄膜的影响 李春伟 ，巩春志 ，吴忠振 ，刘天伟。，秦建伟。，田修波 ，杨士勤 (1．哈尔滨工业大学 先进焊接与连接 国家重点实验室，黑龙江 哈尔滨 150001； 2．东北林业大学 森林持续经营与环境微生物工程黑龙江省重点实验室，黑龙江 哈尔滨 150040； 3．中国工程物理研究院 表面物理与化学国家重点实验室 ，四川 绵阳621900) 摘 要： 利用高功率脉冲磁控放 电等离子体注入与 度和溅射材料离化率[6]。在该方法的基础上 ，我们又 沉积技术制备 了氧化钒薄膜 ，分别采用 x射线衍射 提出了高功率脉冲磁控放电等离子体离子注入与沉积 仪 、原子力显微镜 、扫描 电子显微镜和电化学分析仪研 技术 (HPPMS—PIID)_8l9_，即采用在工件上施加脉冲高 究了不同高压幅值对氧化钒薄膜的相结构、表面形貌、 压的方法，将溅射材料离子加速并注入沉积到工件上 。 截面形貌以及耐腐蚀性能的影响。结果表 明制备 的氧 本文利用该项新技术在硅片和工业纯铝基体上制 化钒薄膜以VOz(一21i)相为主 ，还含有少量的VO 备了氧化钒薄膜 ，研究了不同高压对氧化钒薄膜结构 (111)、VO(220)、VO(222)相 。不 同高压下氧化钒薄 和形貌的影响，并分析 了高压的变化对氧化钒薄膜耐 膜表面致密、平整，其表面粗糙度仅为几个纳米，显示 腐蚀性能的影响。 出良好的表面质量。氧化钒薄膜表现出典型致密的柱 2 实 验 状晶生长形貌，且随着高压增加，氧化钒薄膜膜层厚度 有所下降。氧化钒薄膜耐腐蚀性能较纯铝基体有较大 2．1 氧化钒薄膜的制备 提 高，腐蚀 电位提 高0．093V，腐蚀 电流下降 1～2个数 实验设备采用 自行研制的真空镀膜 系统 ，真空室 量级；当高压为一15kV时，氧化钒薄膜腐蚀 电位最高， 为 O400mm×400ram的不锈钢双层 圆筒 ，层间通循环 腐蚀电流最低，表现 出最佳的耐蚀性能。 冷却水冷却。真空室的本底真空度为 1×10 Pa，实 关键词 ： 高功率脉冲磁控放电；等离子体离子注入与 验使用 050mm ×4ram 的纯度为 99．95 钒靶 ，工作 沉积 ；氧化钒薄膜；高压；耐腐蚀性 气体为 99．997 的高纯氩气 。磁控 阴极采用 自行研 中图分类号 ： TG174 文献标识码 ：A 制的高功率复合脉冲磁控溅射 电源进行基体的清洗和 文章编号 ：1001-9731(2012)14—1922—05 薄膜的沉积 ，基体偏压 由高压脉冲电源提供 。基体材 料为硅片和工业纯铝，样品尺寸 40mm×25ram×0．8 1 引 言 mm。样品先经碱蚀洗 ，再经酸浸清洗 5min，后用清水 钒具有多种化合价 ，故钒 的氧化物具有多种结构 洗净擦干，最后放人真空室中距靶面 14cm处 。 形式 ，其 中VO。、VO。、V。O 在红外探测 、非制冷红外 实验具体过程 ：首先抽真空至本底真空 1×10 成像 、光 电开关和智能窗等领域有广 阔的应用前景L1]。 Pa，通入 氩气 至 1．0Pa，开高 压进 行 自辉光 清洗 大多数的研究工作主要集中在氧化钒薄膜 的光学相变 15min，高压清洗参数为一10kV、40Hz、150,／s。然后 特性和电致开关特性方面l2]，但对其生长形貌和耐腐 将高压参数分别设定为一10、一15、一2O和 25kV， 蚀性能方面的研