数电第三章_门电路.ppt

第三章 门电路 3.1 概述 门电路：实现基本运算、复合运算的单元电路，如与门、与非门、或门 ······ 3.2.1二极管的开关特性 3.2.2 二极管与门 3.2.3 二极管或门 二极管构成的门电路的缺点： 电平有偏移 带负载能力差 只用于IC内部的逻辑单元 3.3 CMOS门电路3.3.1MOS管的开关特性 一、MOS管的结构 耗尽型 以N沟道增强型为例： 二、输入特性和输出特性 三、MOS管的基本开关电路 四、等效电路 3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理 一、电路结构 二、电压、电流传输特性 二、电压、电流传输特性 3.3.3 CMOS 反相器的静态输入和输出特性 一、输入特性 二、输出特性（低电平输出） 二、输出特性（高电平输出） 3.3.5 其他类型的CMOS门电路 一、其他逻辑功能的门电路 3.带缓冲级的CMOS门 二、漏极开路的门电路（OD门） 三、CMOS传输门及双向模拟开关 1. 传输门 四、三态输出门 三态门的用途 一、双极型三极管的结构 二、三极管的输入特性和输出特性 2.三极管的输出特性 三、双极型三极管的基本开关电路 四 、三极管反相器 3.5.2 TTL反相器的电路结构和工作原理 假设 例：计算扇出系数（Fan-out） 试计算门G1能驱动多少个同样的门电路负载。 3.5.5 其他类型的TTL门电路 一、其他逻辑功能的门电路 1. 与非门 2. 或非门 4. 异或门 推拉式输出电路结构的局限性 ① 输出电平不可调 ② 负载能力不强，尤其是高电平输出 ③ 输出端不能并联使用 OC门 OC门实现的线与 三、三态输出门（Three state Output Gate ,TS门） 只要参数合理： VI=VIL时，T截止，VO=VOH VI=VIH时，T导通，VO=VOL 输入级 输出级 倒相级 3.5.3 TTL反相器的电压传输特性 1.输入特性 3.5.4 TTL反相器的输入特性和输出特性 be5 be2 vcc iI be5 be2 vcc iI 2.输出特性 1）高电平输出 2）低电平输出 输入级 输出级 倒相级 3.与或非门 电气信息工程学院 《数字电子技术基础》 门电路中以高/低电平表示逻辑状态的1/0 正逻辑： 负逻辑： 高电平表示1，低电平表示0 高电平表示0，低电平表示1 高电平：VIH=VCC 低电平：VIL=0 3.2半导体二极管门电路 1 1 1 0 0 1 0 1 0 0 0 0 Y B A 假设：高电平：VIH=3V 低电平：VIL=0 1 1 1 1 0 1 1 1 0 0 0 0 Y B A 假设：高电平：VIH=3V 低电平：VIL=0 增强型 大量正离子 导电沟道 共源接法 OFF ，截止状态 ON，导通状态 （a）电压传输特性 （b）电流传输特性 1. 与非门 2.或非门 或非门+缓冲器=与非门 缓冲器 缓冲器 或非门 设VI为正，输出端接负载 2. 双向模拟开关 3.5.1 半导体三极管的开关特性 3.5 TTL门电路 发射区高掺杂 集电区低掺杂 基区薄低掺杂 1.三极管的输入特性（NPN）