刘兵一维光子晶体结构参数对禁带带隙的影响研究.pdfVIP

第28 卷 第4 期 应 用 光 学 V o l. 28 N o. 4 2007 年7 月 Jou rn a l o f A pp lied Op t ics J u l. 2007 文章编号: 2007 0座机电话号码 一维光子晶体结构参数对禁带带隙的影响研究 刘　兵, 竺子民 华中科技大学 光电子科学与技术学院, 湖北 武汉 430074 摘　要: 采用平面波法 PWM 计算一维光子晶体的带隙结构。分别就构造一维光子晶体结构的 高低折射膜层的介电常数及填充比 高折射膜层的厚度与晶体周期长度的比值 对禁带带隙宽度 的影响作出分析。通过最小二乘曲线和曲面拟合得到带宽与介电常数或带宽与填充比的函数关系 图, 以确定最佳的禁带带宽, 从而设计一维光子晶体的周期结构。对高低折射膜层为GaA s空气组 成的一维光子晶体, 介电常数比约为131, 当填充比为0. 16 时, 计算得禁带带宽为0. 2564 ×2 , c 禁带的中心频率为0. 3478 ×2 , 与实验数据吻合。 c 关键词: 平面波法; 光子禁带; 带隙宽度; 最小二乘曲线和曲面拟合 中图分类号: O 734. 2; TN 30334 文献标志码: A - Ef f ect of structura l param eter s of on e d im en s iona l photon ic cry sta l on f orb idden ban d gap , L IU B in g ZHU Z i m in In st itu te o f Op to e lect ron ics Scien ce an d Eng in eer ing, H u azhong U n iver sity o f Scien ce an d T echno logy, W uh an 430074, Ch in a : A bstract T h e b an dgap st ru ctu re o f on e d im en sion a l p ho ton ic cry sta l w a s ca lcu lated an d der ived . w ith th e p lan e w ave m etho d PWM T h e effect s o f th e d ielect r ic con stan t s o f h igh low refrac t ive f ilm s m ak in g up on e d im en sion a l p ho ton ic cry sta l st ru ctu re an d f illin g rat io b etw een th ick n e ss o f h igh ref lect ive f ilm an d cry sta l p er io d on th e b an dw id th o f fo rb idden b an d gap w ere an a lyzed. T h e fun ct ion relat ion b etw een b an dw id th an d d ielect r ic con stan t s o r th e fun ct ion b etw een b an dw id th an d f illin g rat io w a s ob ta in ed by lea st squ are cu rve an d cu rved su rface f it t in g to m ak e , su re th e b e st va lu e o f b an dw id th an d to de sign th e p er io d ic st ru ctu re o f on e d im en sion a l p ho . 131 ton ic cry sta l Fo r a on e d im en sion a l p ho ton ic cry sta l w ith d ielect r ic con stan t s o f an d f illin g 0. 16, 0. 2564 ×2 0. 3478 ×2 rat io o f it s ca lcu lated b an dw id th is c an d cen t ra l frequ en cy is c . T h e se re su lt s ag ree w ith