铟掺杂PZT铁电陶瓷性能研究.pdfVIP

助 舷 材 料 铟掺杂PZT铁电陶瓷性能研究。 朱 斌，文 忠，高 扬，杨 涛 (电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川成都610054) 摘 要： 采用传统固相烧结法制备In。O。掺杂的锆 和压电、铁电性能的影响。 钛酸铅(PZT)铁电陶瓷，研究了In。O。掺杂量对PZT 2 实 验 铁电陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能、压电性 能及铁电性能的影响。研究结果表明，随着In：()。掺 采用传统陶瓷工艺制备PZT陶瓷材料样品，PZT 杂量的增加，PZT材料在准同型相界处三方相增加四 方相减少，适量掺入In。()。有利于晶粒均匀生长。在 不同的铟掺杂剂量下，PZT陶瓷材料分别具有最佳的 铁电及压电性能。当铟掺杂量为0．1％(质量分数) 时，PZT材料具有最佳的铁电性能，其剩余极化强度 学纯)、In。O。(化学纯)材料，采用传统陶瓷工艺进行球 为23．43肛C／cm