材料科学基础3凝固.ppt

第三章 凝固 第三章 凝固 第三章 凝固 凝固：物质从液态到固态的转变过程。 若凝固后的物质为晶体，则称之 为结晶。 凝固过程影响后续工艺性能、使用性能和寿命。 凝固是相变过程，可为其它相变的研究提供基础。 第一节 材料结晶的基本规律 第一节 材料结晶的基本规律 第一节 材料结晶的基本规律 第二节 材料结晶的基本条件 第二节 材料结晶的基本条件 第二节 材料结晶的基本条件 第三节 晶核的形成 第三节 晶核的形成 第三节 晶核的形成 第三节 晶核的形成 第三节 晶核的形成 第三节 晶核的形成 第三节 晶核的形成 第四节 晶核的长大 第四节 晶核的长大 第四节 晶核的长大 第四节 晶核的长大 第四节 晶核的长大 第四节 晶核的长大 第四节 晶核的长大 第五节 高分子材料的结晶 第五节 高分子材料的结晶 第六节 凝固理论的应用 第六节 凝固理论的应用 第六节 凝固理论的应用 第六节 凝固理论的应用 * * 熔化 炼钢 浇注 炼铜 第 三 章 第 一 节 结 晶 规 律 1 液态材料的结构 结构：长程无序而短程有序。 特点（与固态相比）：原子间距较大、原子配位数较小、原子排列较混乱。 第 三 章 第 一 节 结 晶 规 律 2 过冷现象 supercooling （1）过冷：液态材料在理论结晶温度以下仍保持液态的现象。 （2）过冷度：液体材料的理论结晶温度(Tm) 与其实际温度之差。 △T=Tm-T (见冷却曲线) 注: 过冷是凝固的必要条件 (凝固过程总是在一定的过冷度下进行)。 第 三 章 第 一 节 结 晶 规 律 3 结晶过程 （1）结晶的基本过程：形核－长大。（见示意图） （2）描述结晶进程的两个参数 形核率：单位时间、单位体积液体中形成的晶核数量。用N表示。 长大速度：晶核生长过程中，液固界面在垂直界面方向上单位时间 内迁移的距离。用G表示。 第 三 章 第 二 节 结 晶 条件 1 热力学条件 （1）G-T曲线 a 是下降曲线：由G-T函数的一次导数（负）确定。 dG/dT=-S b 是上凸曲线：由二次导数（负）确定。 d2G/d2T=-Cp/T c 液相曲线斜率大于固相： 由一次导数大小确定。 二曲线相交于一点，即材料的熔点。 第 三 章 第 二 节 结 晶 条件 1 热力学条件 （2）热力学条件 △Gv=－Lm△T/Tm a △T0, △Gv0－过冷是结晶的必要 条件（之一）。 b △T越大, △Gv越小－过冷度越大， 越有利于结晶。 c △Gv的绝对值为凝固过程的驱动力。 第 三 章 第 二 节 结 晶 条件 2 结构条件 （1）液态结构模型 微晶无序模型 拓扑无序模型 （2）结构起伏（相起伏）：液态材料中出现的短程有序原子集团 的时隐时现现象。是结晶的必要条件（之二）。 出现几率 结构起伏大小 第 三 章 第 二 节 结 晶 条件 均匀形核：新相晶核在遍及母相的整个体积内无轨则均匀形成。 非均匀形核：新相晶核依附于其它物质择优形成。 1 均匀形核 （1）晶胚形成时的能量变化 △G＝V△Gv+σS ＝(4/3)πr3△Gv+4πr2σ ?2003 Brooks/Cole, a division of Thomson Learning, Inc. Thomson Learning? is a trademark used herein under license. 第 三 章 第 二 节 结 晶 条件 1 均匀形核 (2) 临界晶核 d△G/dr=0 rk=-2σ/△Gv 临界晶核：半径为rk的晶胚。 (3) 临界过冷度 rk=-2σTm/Lm△T 临界过冷度：形成临界晶核时的过冷度。△Tk. △T≥△Tk是结晶的必要条件。 第 三 章 第 二 节 结 晶