3-存储器与并行口.pptVIP

8051单片机的存储器 8051的存储器采用哈佛结构： 程序存储器（ROM）和数据存储器（RAM）分别是两个存储空间。 存储器与存储空间 存储空间由一组连续的地址决定 存储空间空间的大小由地址位数决定 216 = 65536 = 64KB 28 = 256 Byte 程序存储器选择：16位地址总线、PSEN 数据存储器选择：16位地址总线、WR、RD 程序存储器 数据存储器 内RAM 8051内RAM为128Byte 其中包括 00H-1FH四组工作寄存器 20H-2FH 16字节 128位位处理单元 堆栈 8051内RAM使用方便，但资源有限，所以使用时应精心分配。 工作寄存器 00H-1FH分为四组工作寄存器，由PSW中RS1、RS0选择。 RS1 RS0 0 0 0区工作寄存器 0 1 1区工作寄存器 1 0 2区工作寄存器 0 1 3区工作寄存器 寄存器编号：R0 — R7 位处理单元 堆栈 8051堆栈只能设置在内RAM中 复位时堆栈指针初值为07H 8051堆栈的操作方式为 (SP)+1?SP 数据入栈 数据出栈 (SP)-1?SP 栈区从08H开始 一般应将栈区移至高端RAM 如：MOV SP,5FH 特殊功能寄存器SFR 特殊功能寄存器包括 ACC B SP PSW DPH DPL 并行口 串行口 定时/计数器 中断控制寄存器 IE IP 等 特殊功能寄存器地址从80H-FFH 特殊功能寄存器中凡地址能被8整除的单元都有位寻址功能 8051单片机的并行I/O口 8051有4个8位并行I/O口： P0 P1 P2 P3 并行I/O口是特殊功能寄存器（SFR） 并行I/O口 8051单片机有4个8位并行I/O口分别为： P0口 80H 可用于组成DB和AB低8位 P1口 90H P2口 0A0H 可用于组成AB高8位 P3口 0B0H 第二功能用于中断、串行口、计 数输入及外RAM读写控制 P0口为双向I/O口可带8个LSTTL负载 P1~P3口为准双向I/O口，输入之前应先写“1”，可带4个LSTTL负载 P1口结构 P1口功能 用作双向I/O口，内部带上拉电阻 用于输入时，对应的输出锁存器应写“1” 负载能力为4个LSTTL负载 P0口结构 P0口功能 外扩存储器或接口时，用于数据总线和地址总线低8位 作输出口时需要外加上拉电阻 用于输入时，对应的输出锁存器应写“1” 负载能力为8个LSTTL负载 P2口结构 P2口功能 外扩存储器或接口时作地址总线高8位 作输出口时内部带上拉电阻 用于输入时，对应的输出锁存器应写“1” 负载能力为4个LSTTL负载 P3口结构 P3口功能 P3为多功能端口，第二功能见表1.4 作输出口时内部带上拉电阻 用于输入时，对应的输出锁存器应写“1” 负载能力为4个LSTTL负载 P3口第二功能 P3.0 RXD 串行口输入 P3.1 TXD 串行口输出 P3.2 INT0 外部中断0输入 P3.3 INT1 外部中断1输入 P3.4 T0 计数器0脉冲输入 P3.5 T1 计数器1脉冲输入 P3.6 WR 片外数据存储器写选通 P3.7 RD 片外数据存储器读选通 8051的工作方式 CHMOS低功耗方式 两种低功耗方式 空闲方式 掉电方式 低功耗方式由PCON控制 注意PCON不能位控 电源控制寄存器 PCON(87H) SMOD=“1”串行口波特率加倍 GF1,GF0 通用标志 PD=“1” 进入掉电方式（时钟停振） IDL=“1” 进入空闲方式 （内部时钟封锁） 正常 空闲 掉电 80C51(12MHz) 5V 16mA 5V 3.7mA 2V 50nA 空闲方式 进入：置PCON中IDL（D0）位为“1” 空闲方式切断CPU内部时钟，中断逻辑，定时器，串行口继续工作，CPU内部状态保持原样。 Vcc=+5V，电流3mA。 退出：中断或硬件复位 掉电操作方式 正常工作时由VCC提供+5V电源，掉电时，内RAM中数据将丢失。 8051可通过在RST/V