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12位LC2MOS工艺数模转换器总剂量电离辐射效应 作者： 王信， 陆妩， 郭旗， 吴雪， 席善斌， 邓伟， 崔江维， 张晋新， WANG Xin， LU Wu， GUO Qi， WU Xue， XI Shan-bin， DENG Wei， CUI Jiang-wei， ZHANG Jin-xin 作者单位： 王信,吴雪,席善斌,邓伟,张晋新,WANG Xin,WU Xue,XI Shan-bin,DENG Wei,ZHANG Jin-xin(中国科学院新疆理化技术研究所，新疆乌鲁木齐 830011; 新疆电子信息材 料与器件重点实验室，新疆乌鲁木齐 830011; 中国科学院大学，北京 100049)， 陆妩,郭旗,崔江维,LU Wu,GUO Qi,CUI Jiang-wei(中国科学院新疆理化技术研究所 ，新疆乌鲁木齐 830011; 新疆电子信息材料与器件重点实验室，新疆乌鲁木齐 830011) 刊名： 原子能科学技术 英文刊名： Atomic Energy Science and Technology 年，卷(期)： 2013(12) 参考文献(13条) 1.FRANCO F J;LOZANO J;AGAPITO J A Ra-diation effects on CM OS R/2R ladder digital-to-analog converters 2003 2.AGHARA S;FINK R J;CHARLTON W S Degradation of commercially available DAC ICs in a mixed- radiation environment 2002 3.AMPE J;THAI V;BUCHNER S COTS ADC DAC selection and qualification for the GLAST mission 2005 4.FRANCISCO J F;YI ZONG;JUAN A D A Radiation tolerant D/A converters for the LHC cryogenic system 2005(03) 5.王义元;陆妩;任迪远 不同60 Co γ剂量率下10位双极D/A转换器的总剂量效应[期刊论文]- {H}原子能科 学技术 2009(10) 6.刘岩;杨善潮;林东生 10位CMOS数模转换器在中子和γ混合环境下的综合辐射效应[期刊论文]- {H}强激 光与粒子束 2010(09) 7.JOHNSTON A H;LEE C I;RAX B G En-hanced damage in bipolar devices at low dose rates:Effects at very low dose rates 1996(06) 8.WALTERS R J;KRIEG J F;TITUS J L ELDRS in space:An updated and expanded anal-ysis of the bipolar ELDRS experiment on M PTB 2003(06) 9.MCCLURE S S;GORELICK J L;YUI C C Continuing evaluation of bipolar linear devices for total dose bias dependency and ELDRS effects 2003 10.PEASE R L 2008 update to the ELDRS bipolar linear circuit data compendium 2008 11.PRATER J S;BROWN B;TRINH T Analysis of low dose rate effects on parasitic bipolar struc- tures in CMOS processes for mixed-signal inte-grated circuits 2011(03) 12.陆妩;任迪远;郭旗 CMOS运算放大器的电子和60 Co γ辐照效应及退火特性[期刊论文]- {H}固体电子学 研究与进展 1998(0