Gd2O3-HfO2栅介质薄膜的外延制备及Ge-MOS电学特性分析.pdfVIP

第36卷第3期 稀 有 金 属 20】2年5月 ：!些堑些尘i ：： ：： 兰坚型璧!堡!坠翌些皇!坠些竺!!!窒 ： 坚!￥型!! 张心强1，屠海令1’h，杜军1’2，杨萌萌1，赵鸿滨1，杨志民1 (1．北京有色金属研究总院先进电子材料研究所，北京100088；2．北京有色金属研究总院国家半导体材料 工程技术研究中心，北京100088) 子衍射(RHEED)技术研究了激光烧蚀能量和薄膜沉积温度对薄膜晶体结构的影响，分析了二者与薄膜的取向关系．激光烧蚀能量对薄膜取 向影响更为显著。得弼较优的GDH外延薄膜沉积工艺为：激光烧蚀能量为37·c廿l-。、薄膜的沉积温度为600℃。厢磁控溅射制备了AwrFi顶 电极和Al背电极，其中圆形的Au／Ti电极通过掩膜方法获得，直径为50岬。采用Keithley kHz—I 堆栈结构的Ge-MOS原型电容器进行电学特性分析，测试条件为：，-F测试的电场强度0—6MV·cm～，c．I，测试的频率