VHF-PECVD制备微晶硅薄膜及其微结构表征研究.pdfVIP

第34卷第3期 人 工 晶 体 学 报 v01．34 No．3 ：：』塑垒量当圣垒』圣：：：：：：：：：：：：：：：：：：=』塑型里盥△LQ￡量羔盟!丛垦!!gg垦兰曼坠坠 』坠望!，2塑§ 张晓丹，高艳涛，赵颖，朱锋，魏长春，孙 建，耿新华，熊绍珍 (南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，天津30007l；天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室，天津300071； 光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学，天津大学)天津300071) 晶过渡，晶化率(舶)逐渐增大。xRD的结果显示样品的择优取向随衬底温度的升高而变化，(220)方向计算得出 样品的晶粒尺寸逐渐变大。 关键词：甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF．PEcVD)；微晶硅；衬底温度 中图分类号：TK514 文献标识码：A Fabricationof