IGBT的驱动和保护技术探析(论文资料).pdfVIP

中国新技术新产品2010 NO.7 China New Technologies and Products 工业技术 IGBT 的驱动和保护技术探析 张亚苏 （陕西航空电气有限责任公司47 所，陕西兴平 713107） 摘 要： IGBT 不仅具有电压控制输入特性、低阻通态输出特性，还具有高输入阻抗、电压驱动、无二次击穿和安全工作区宽等优点，可以 在众多领域替代GTR 和功率MOSFET 等器件。同时，由于它的结构特性，决定了它具有高速开关的能力，可以满足PWM 技术的要求。 关键词： IGBT ；驱动；保护；串联 1 引言 是提供合适的栅极驱动脉冲。实现电隔离可采 us。极高的电流下降率将会在主电路的分布电 IGB T 的开通和关断是由栅极电压控制 用脉冲变压器、微分变压器及光电耦合器。 感上感应出较高的过电压，导致IGBT 关断时将 的。栅极施以正电压时，MOSFET 内形成沟道， 2.3 IGBT 开关损耗与栅极驱动的关系 会使其电流电压的运行轨迹超出它的安全工作 并为PNP 晶体管提供基极电流，从而使IGBT 对整个开关过程中IGBT 的电压、电流进 区}fu 损坏。所以从关断的角度考虑，希一望主电 导通。此时，从P+区注入到N 一区的空穴对N 行积分就可以算出IGBT 的开关损耗。因此开关 路的电感和电流下降率越小越好。但对于IGBT 一区进行电导调制，减小N 一区的电阻RN，使 损耗可以由下面的等式给出: 的开通来说，集电极电路的电感有利十抑制续 高耐压的IGBT 也具有低的通态压降。在栅极上 E(switch)=V(t)I(t)dt 流二极管的反向恢复电流和电容器充放电造成 施以负电压时，MOSFET 内的沟道消失，PNP 晶 由前面的分析可知，增加栅极驱动电压、减 的峰值电流，能减小开通损耗，承受较高的开通 体管的基极电流被切断，IGBT 即为关断。 小栅极电阻可以加快对栅一射极电容充电的速 电流上升率。一般情况下IGBT 开关电路的集电 2 IGBT 的驱动 率，从而加快IGBT 开通过程，显著降低开通损 极不需要串联电感，其开通损耗可以通过改善 2.1 IGBT 驱动的条件 耗。以下表格给出了不同栅极电阻、不同驱动电 栅极驱动条件来加以控制。 IGBT 是复合了功率场效应管和电力晶体 压下的开通损耗。 为了使IGBT 关断过电压能得到有效的抑 管的优点而产生的一种新型复合器件，具有输 制并减小关断损耗，通常都需要给IGBT 主电路 入阻抗高、工作速度快、热稳定性好驱动电路简 设置关断缓冲吸收电路 IGBT 的关断缓冲吸收 单、通态电压低、耐压高和承受电流大等优点， 电路分为充放电型和放电阻止型（如图）。 因此现今应用相当广泛。但是IGBT 良好特性的 充放电型有RC 吸收和RCD 吸收2 种。 发挥往往因其栅极驱动电路设计上的不合理， 不同栅极驱动电压和栅极电阻条件下 制约着IGBT 的推广及应用。因此，设计一种可 的开通损耗 靠、稳定的IGBT 驱动电路非常关键。 IGBT 的保护 IGB 的栅极驱动条件密切地关系到它的静 在电力电子设备中，应用IGBT 时，对IGBT 态和动态特性。栅极电路的正偏压Uge、负偏 的自身保护措施通常有以下几种:通过电流信号 压-Ug。和栅