1-_晶闸管电路及其应用.pptVIP

第五章 晶闸管电路及其应用 第一节 晶闸管 基本结构 工作原理 伏安特性 主要参数 通态平均电压（管压降）UT(AV）:当元件流过正弦半波的额定电流平均值和稳定的额定结温时，元件阳极与阴极之间电压降的平均值称为管压降UT(AV） 。 管压降越小，表明元件耗散功率越小，管子质量越好。 普通晶闸管型号命名 第二节 单向桥式半控整流电路 电阻性负载桥式可控整流电路 电感性负载桥式可控整流电路 单相半波可控整流电路 电炉、电焊及白炽灯等均属于电阻性负载。电阻性负载的特点是：负载两端电压波形和流过的电流波形相似，其电流、电压均允许突变。 电感性负载 属于此类负载的，工业上如电动机的励磁线圈、输出串接平波电抗器（Filter Reacter）的负载等。电感性负载不同于电阻性负载，为了便于分析，通常电阻与电感分开。 第三节 触发电路 单结晶体管触发电路 集成触发电路 第四节 晶闸管的串并联及其保护 晶闸管的串并联 晶闸管的过载保护电路 u2 uZ UZ uW uR1 T O O O t t t uC 改变电容C的充放电速度,可以改触发变脉冲周期T。 * * 第一节 晶闸管 第二节 单相桥式半控整流电路 第三节 触发电路 第四节 晶闸管的串并联及其保护 晶闸管又称可控硅（SCR)（Silicon Controlled Rectifier）是一种大功率半导体器件，它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域。 晶闸管具有体积小、重量轻、无噪声、寿命长、 容量大（正向平均电流达千安、正向耐压达数千伏）等特点。 螺旋式结构 平板式结构 一、基本结构 P1 P2 N1 N2 四 层 半 导 体 K（阴极） G（控制极） A（阳极） 三 个 PN 结 A K G 符号 晶闸管不导通 无论控制极G与阴极K之间是否加有电压，晶闸管均不能导通。 二、工作原理 P1 P2 N1 N2 N1 P2 A G K 控制极G和阴极K之间不加正向电压 阳极A和阴极K加反向电压 反偏 反偏 阳极A和阴极K加正向电压 正偏 正偏 反偏 控制极G和阴极K之间加正向电压 正向电压足够大时，三个PN结都正偏，晶闸管导通。 K A G VT1 VT2 K A G VT1 VT2 RL UG UA IG β2IG β2IG β1 正反馈 两个晶体管进入饱和导通状态。 晶闸管导通后， UAK≈0.6～1.2V 此时即使去掉控制极与阴极之间的电压，由于本身的正反馈作用晶闸管仍能维持导通。 控制极电压UG的作用仅仅是触发晶闸管的导通 晶闸管的导通条件为： ①阳极和阴极间加正向电压。 ②控制极和阴极间加正向触发电压。 ③阳极电流不小于维持电流。 ①阳极A加反向电压，或不加触发信号。 ②晶闸管正向导通后，若令其关断，必须减小UA（或使UA反向），使晶闸管中电流小于维持电流。 晶闸管的截止条件为： UAK IA IH IN IG=0 UBO 导通 URO 三、伏安特性 △U IG1 IG2 IG增加 导通电压1V左右 正向折转电压 反向击穿电压 O 四、主要参数 通态平均电流IF：允许通过晶闸管阳极的工频频率正弦波半波电流的平均值。 维持电流IH：在控制极开路的情况下，晶闸管维持导通时的最小阳极电流。正向电流小于IH时，管子自动阻断。 触发电压UG和触发电流IG：晶闸管从阻断到完全导通所需要的最小的控制极直流电压和电流。 正向断态重复峰值电压UDRM：控制极开路的条件下，允许重复作用在晶闸管上的最大正向电压。一般情况下UDRM ＝UBO×80%。 反向重复峰值电压URRM ：控制极开路的条件下，允许重复作用在晶闸管上的最大反向电压。一般情况下URRM ＝UBO×80%。 额定电压UD：取UDRM和URRM 中较小的一个数值标为器件的额定电压。 例如，KP200—5E，表示该元件额定电流为200A，额定电压为500V，管压降为0.7～0.8V的普通晶闸管。 电阻性负载 单相半波可控整流电路 单相半波可控整流电路 为了使 过零变负时能及时地关断晶闸管，使 波形不出现负值，又能给电感线圈 提供续流的旁路，可以在整流输出端并联二极管如图所示。由于该二极管是为电感负载在晶闸管关断时提供续流回路，故将此二极管简称续流管，用VD表示。 一、电阻性负载桥式可控整流电路 VH1 VH2 VD1 VD2 RL uo u 1. 电路分析 u正半周(０～π) a(＋) b(－) 电流方向 负半周(π～２π