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上讲回顾：金属、绝缘体的能带理论解释 • 金属、绝缘体和半导体 * 电子如何填充能带可用原胞内电子填充判断？ 第一布里渊区不等价的状态数 满带、空带、半满带 * 满带不导电金属、绝缘体、半导体 • 结构因子与布里渊边界能级简并分裂的关系 * 物理原因同X射线衍射的消光现象 原胞内等价原子波函数在布里渊区边界的反射相 干 8/~jgche/ 近自由电子近似 1 本讲目的：能带计算近似方法的物理思想 • 如何计算能带? 1. 近自由电子近似(赝势方法) 2. 紧束缚方法第19讲 8/~jgche/ 近自由电子近似 2 第17讲、近自由电子近似 1. 能带计算近似的物理思想 2. 近自由电子近似——平面波方法 3. 举例——只取两个平面波 4. 平面波方法评论 5. 赝势方法 8/~jgche/ 近自由电子近似 3 1、能带计算方法的物理思想 相对论 全电子势（Muffin-tin ） 非相对论 赝势 凝胶模型（相当于自由电子气） 局域密度泛函近似 非局域修正  2            V r  r  r,k E k  r,k xc 非周期性 平面波 周期性 缀加平面波 对称性 线性组合缀加平面波 散射函数 非自旋极化 原子轨道线性组合 自旋极化 数值 4 能带计算方法分类 • 各种能带计算方法基本上可分为 * 对晶体势场V(r)的不同近似 * 对组成晶体电子波函数的基函数的不同选取 1. 根据不同的研究对象、计算条件对势场和基 函数作不同的近似处理不同的物理思想 * 全电子势(Muffin-tin势，真正全电子势很少用) * 赝势 2. 能带计算方法从构成晶体波函数的基函数上 可分成两大类： * 紧束缚近似 * 近自由电子近似 8/~jgche/ 近自由电子近似 5 能带如何形成——近自由电子观点 • 近自由电子近似认为晶体电子仅受晶体势场很 弱的作用，E(k)是连续的能级 * 由于受周期性势场的微扰，E(k)在Brillouin 区边界 产生分裂、突变禁带，连续的能级形成能带 • 这时晶体电子行为与自由电子相差不大 * 因此，可以用自由电子波函数(平面波)的线形组合 来构成晶体电子波函数，描写晶体电子行为 • 微扰观点：空晶格的解是零级近似，都把它当 作简并微扰的方式用零级解组成晶体波函数 8/~jgche/ 近自由电子近似 6 能带如何形成——紧束缚观点 • 紧