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Q/S 上海天马微电子有限公司企业标准 Q/S0001-2007 TFT工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称 版 号： 1.0 总 页 数： 23 制定部门： 制造部 生效日期： 2007年4月28日 拟 制： 方永学 2007-4-3 审 核： 向传义 2007-4-3 标 准 化： 吴乃亮 2007-4-25 会 签： 颜建军 朱希玲 2007-4-20 蔡明宏 2007-4-24 凌志华 2007-4-3 批 准： 安德浩 2007-4-24 2007-04发布 2007-04实施 上海天马微电子有限公司发布  更改状态 更改内容 更改人 更改日期 一．TFT工艺流程中英文标准名称 Array Process Flow 阵列段工艺流程 Input 投料 Unpacking 拆包装 Initial clean 预备清洗 Particle count 尘埃粒子测试 Gate 栅电极层 Clean before depo 成膜前清洗 Gate （Mo/Al alloy ) Film depo 栅电极成膜 RS meter 电阻测量 Macro Inspection 宏观检查 Clean before PR 涂胶前清洗 Pre bake 预烘 PR Coating 光刻胶涂布 PR vacuum dry(VCD) 光刻胶低压干燥 PR soft bake 前烘 Expose 曝光 Titler Expose/Edge Expose 打标/边缘曝光 Develop 显影 PR hard bake 坚膜 ADI 显影后自动光学检查 Mic/Mac Inspection 宏微观检查 CD after develop 显影后关键尺寸检查 Total pitch 长寸测量 Gate Wet etch 栅电极湿刻 Contact angle 接触角测量 PR strip 光刻胶剥离 CD after etch 刻蚀后关键尺寸测量 AEI 刻蚀后自动光学检查 Micro/Macro Inspection 宏微观检查 Laser Repair 激光修补 Active层 Clean before depo 成膜前清洗 Active film depo Active成膜 AOI 自动光学检查 Macro Inspection 宏观检查 Thickness Measurement 厚度测量 Clean before PR 涂胶前清洗 Pre bake 预烘 PR Coating 光刻胶涂布 PR vacuum dry 光刻胶低压干燥 PR soft bake 前烘 Expose 曝光 Develop 显影 PR hard bake 坚膜 ADI 显影后自动光学检查 Mic/Mac Inspection 宏微观检查 Active film Dry etch Ashing Active膜干刻与灰化 Thickness Measurement 厚度测量 PR strip 光刻胶剥离 AEI 刻蚀后自动光学检查 Mic/Macro Inspection 宏微观检查 S/D 源/漏电极层 Clean before depo 成膜前清洗 S/D Mo film depo 源/漏电极成膜 RS meter 电阻测量 MACRO Inspection 宏观检查 Clean before PR 涂胶前清洗 Pre bake 预烘 PR Coating 光刻胶涂布 PR vacuum dry 光刻胶低压干燥 PR soft bake 前烘 Expose 曝光 Edge expose 边缘