固态器件复习.docVIP

PN结 基本概念 扩散电容、载流子注入、雪崩击穿、短二极管、电离施主、电离受主 异质结、同质结、晶格匹配、晶格失配、热失配、2DEG 知识点 描述外加电压（正偏和反偏）pn结内部电荷穿过空间电荷区流动的机制 空间电荷区少子浓度的边界条件 空间电荷区稳态少子浓度表达式 采用能带方式描述pn结的开启和关断 Pn结的IV方程 画出异质结的能带结构图 描述2DEG形成的过程 MS、MIS结构和MOS结构 基本概念 镜像力降低势垒效应、欧姆接触、肖特基接触、热电子发射效应、隧道效应、表面钉扎效应 表面态、悬挂键、理想的MIS结构、钝化 知识点 画出金半接触的能带图 描述肖特基二极管的整流特性 解释肖特基二极管反向电流比pn结反向电流大的原因 理想MIS结构的电容电压特性 分析MIS结构的高低频C-V特性曲线 双极器件结构 基本概念 基区度越时间、基区宽度调制效应、厄利电压、 知识点 描述晶体管载流子的流向图 晶体管工作在不同方式下的少子浓度分布 大注入效应 描述晶体管在不同连接方式下的I-V曲线 晶体管的I-V方程 JFET和MESFET 基本概念 沟道电导、跨导、漏导、截止频率、沟道调制效应、夹断电压、增强型、耗尽型 知识点 JFET和MESFET的基本工作原理 JFET和MESFET器件的基本结构、IV曲线的定性分析 JFET的I-V方程 MOSFET 基本概念： 沟道电导：给定VG，当Vds很小时，漏电流与漏源电压之比 CMOS：互补MOS，将P沟和N沟器件制作在同一芯片上完成逻辑功能的电路工艺。 耗尽型MOS器件（增强型MOS器件）：必须施加栅压才能关闭（开启）的器件 等效固定氧化层电荷：与氧化层-半导体界面紧邻氧化层中的有效固定电荷，Q’’表示。 平带电压：平带条件发生时所施加在栅上的电压，此时氧化层下面的半导体中没有空间电荷区。 界面态：氧化层-半导体界面处禁带宽度中允许的电子能态。 反型层电荷：氧化层下面产生的电荷，它与半导体掺杂的类型相反。 饱和/强反型/临界强反型点/阈值电压/弱反型/表面耗尽/积累/深耗尽/跨导/漏导 沟道长度调制效应：当MOSFET进入饱和区时，有效沟道长度随漏源电压的改变而改变。 LDD器件结构：为了增加栅漏间的击穿（减小栅漏间漏电），在紧邻沟道处制造一层轻掺杂的MOSFET结构。 知识点： 绘制不同偏置下MOS器件的能带图 用能带图方式描述MOS器件随着栅压变化过程中，电荷的产生过程 分析反型层形成过程时空间电荷区达到最大值的原因 熟悉MOS在不同偏置下的电容表达式 熟悉阈值电压的求解公式 掌握MOSFET的电流电压求解方程 MOSFET的静态工作特点，参照输出特性曲线，用图示方法分析器件的电流ID随着电压Vg、Vds的变化过程。 掌握等比列缩小的意义和原则