多孔碳化硅陶瓷的原位氧化反应制备及其性能.pdfVIP

第36卷第5期 硅酸盐学报 V01．36，No．5 JOURNALOFTHE 2008年5月 CHINESECERAMICSoCIETY May，2008 多孔碳化硅陶瓷的原位氧化反应制备及其性能 刘施峰也，曾宇平1，江东亮1 (1．中国科学院上海硅酸盐研究所，上海200050；2．中国科学院研究生院，北京100039) 摘要：以SiC为陶瓷骨料，A1203作为添加剂，通过原位氧化反应制备了SiC多孔陶瓷，并对其氧化反应特性及性能进行了研究。结果表明：在l300～ 1 500℃，随烧结温度的升高，SiC的氧化程度增加，SiC多孔陶瓷的强度逐渐增加，但开口孔隙率有所降低。莫来石相在1500℃开始生成。当烧结 温度升高到1550℃时，莫来石大量生成，得到了孔结构相互贯通且颈部发育良好的莫来石结合SiC多孔陶瓷；由于在SiC颗粒表面上覆盖了致密的 550℃烧结2h制备的SiC多孔陶瓷具有良好的性能。其抗弯强度为158．7MPa、开口孔隙率为27．7％。 量分数)Ah03，经1 关键词：碳化硅多孔陶瓷；氧化；反应烧结；莫来石结合 中图分类号：TQl74文献标识码：A 文章编号：0454-5648(2008)05--0597--05 FABIUCATIoNANDPRoPERTIESoFPoROUSSILICoNCARBIDECERAMICSBY AN刀忆S!，r【rOXIDIZINGREACTIoN LIUShffen91，一，ZENGYupin91，JIANGDongliang‘ Institute Schoolofthe (1．ShanghaiofCeramics，ChineseAcademyofScience，Shanghai20050；2．Graduate Chinese of 1 AcademyScience，Beijing00039，China) Abstract：Poroussilicon were inairfromSiCallin-situ reaction carbide(SIC)ceramicsprepared by oxidizingtechniqueusingA1203 勰additive．nlereactioncharacteristicsand ofthe siliconcarbideceramicsweTestudied．Wi也thein- oxidizing propertiesporous c-feasein froml300℃tol500℃．theoxidationofSiCincreasesandthe ofthe SiC sinteringtemperature degree strengthporous ceramics the decreases．Mulliteat1500℃。A amountofmullitejs in凹eas鹤gradually,whileopenporosity phaseappears large formedandmullit幽onded SiCceramicswith necksareobtainedatl550℃．nleoxidationofSiCis opellporous well．developed at1550