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第37 卷 第5期 电 子 器 件 Vol.37 No.5 2014年10 月 ChineseJournal of Electron Devices Oct.2014 Analysis of Single Event Effect on Buffer CELL Based on TCAD Simulation * DUMing,ZOULi ,LI Xiaohui,QIUHenggong,DENG Yuliang (Shenzhen StateMicroelectronics Co. ,Ltd,Shenzhen Guangdong 518057,China) Abstract:For semiconductordevicesandICs,theessenceofradiationeffectisaseriesofphysicalprocessincluding the generation andrecombination of electron-holepairs,thetransmission and collection of charge,the interface state and accumulation of oxide trapped charge.Several factors might affect the physical process,such as the size of the pull-up compensating MOSFET,the incidence angle of theheavy ion,the substrate concentration of the device.This paper simulates how these key variables influence on the single event effect of the Buffer cell using mixed-mode TCAD simulations.Finally the experiment result approach to the real scene. Key words:mixed-mode;TCAD;Buffer;single event effect;pull-up compensating EEACC:0590 doi:10.3969/j.issn.1005-9490.2014.05.002 基于TCAD模拟的Buffer 单粒子效应解析分析 * 杜 明,邹 黎 ,李晓辉,邱恒功,邓玉良 (深圳市国微电子有限公司,广东 深圳518057) 摘 要:半导体器件和集成电路的辐射效应,其本质就是电子空穴对的产生和复合、电荷的传输与收集、界面态和氧化层陷 阱电荷积累等一系列的物理过程。 这些物理过程会受到各种因素的影响,例如上拉补偿管的尺寸、重离子入射角度、器件的 外延层浓度等。 使用TCAD器件/ 电路混合模式仿真了以上这些关键变量,同时分析了以上效应对对Buffer 电路单粒子效应 的影响。 最终实验结果证明该模拟方法接近于真实情景。 关键词:混合模拟;TCAD;单粒子效应;缓冲;上拉补偿 中图分类号:O472.8 文献标识码:A 文章编号:1005-9490(2014)05-0808-04 近年来,随着单粒子效应对航空航天器的安全运 1 重离子物理模型 行造成的危害日益突出和严重,国内外利用空间搭载 [1] 和辐照实验等对器件和整机进行了各种试验 。 利 在TCAD 的器件仿真器SDEVICE 中,重离子入 用空间搭载或辐照实验来获取器件在真正空间应用 射后,跟电流连续性方程所对应的过剩载流子产生 时可能发生故障的几率的代价是非