界面极化效应对AlxGa1-xNGaN异质结pin探测器光电响应的影响.pdfVIP

第28卷第6期 半导体学报 V01．28NO．6 CHINESE June，2007 2007年6月 JOURNALOFSEMICONDUCTORS 探测器光电响应的影响* 周建军’ 江若琏 姬小利 谢自立 韩 平 张 荣 郑有蚪 (南京大学物理系，江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京210093) 求解薛定谔．泊松方程计算了AI，Ga-一，N／GaN异质结在无极化、完全极化和部分极化的能带图。结合光电响应谱 的模拟，分析了界面极化效应对AI；Gal-xN／GaN异质结pin紫外光电探测器响应特性的影响并提出了改善方法． 关键词：极化效应；A1GaN／GaN异质结；pin探测器 PACC：7480G；7340L 中围分类号：0472+．8文献标识码：A 文章编号：0253·4177(2007)06·0947-04 情况下AI，Gal-xN／GaN pin紫外光电探测器的能 ‘1 引言 带图，对上述情况下光电探测器的光电响应谱进行 了理论模拟，分析了界面极化效应对AI，Ga。一，N／ 近年来，III—V族氮化物材料由于具有直接带GaN异质结pin紫外光电探测器响应特性的影响 隙、组分连续可调等优异的材料特性得到广泛的关 并提出了改善方法． 注．蓝绿光发光二极管的商品化和激光二极管的研 2 结构设计 究进展使人们对III．V族氮化物材料在发光器件方 面的关注进一步提高．同时，由于紫外探测器在宇宙 我们设计了正面入射的探测波长范围限制在 飞船、火焰羽烟探测、火灾监测等领域中有重要的应 用价值，使III．V族氮化物紫外光电探测器件的应测器，其结构示意图见图1．假设样品采用金属有机 用研究也得到快速发展．其中，pin型光电探测器由 化学气相沉积(MoCVD)方法在蓝宝石衬底上生长 于具有响应速度高、噪声低、零偏下可工作等优点成 获得，根据GaN基材料的禁带宽度、吸收系数等参 为探测器研究的一个重点．对于GaN基紫外光电探 数和目前材料生长的技术水平，P，i，n各层的厚度 测器，为了提高pin光电探测器的性能，或者为了起 和掺杂浓度设计如下：最上层10nm的P+．CaN的作 波长选择作用，通常使用AI，Ga，一；N／GaN异质结 用是为了获得更好的P型欧姆接触．下面300nm的 构．作为窗口层的宽带隙Al，Ga。一。N材料可以减少P．A1，Gal一。N作为窗口材料，～组分X选为0．2， 光信号的损耗，增加探测器对光信号的吸收效率，提 起到滤去波长小于326nm入射光的作用，使该探测 高光电探测器的量子效率，并且可起表面钝化作用． 器探测波长范围限制在326～365nm，其载流子浓 由于III．V族氮化物具有很强的极化效应，在 A1，Ga。一，N／GaN异质结界面会产生大量的极化电 P+·GaN(10nm) sN(300am) 荷，形成附加的极化电场使异质结能带弯曲，甚至于 pAl0．zGao 形成界面二维电子气[1矗]．A1，Gal一，N／GaN异质结 i．GaN(200nm)