碳纳米管电荷分布对电子发射场增强因子影响的研究.pdf

37卷第2期 人 工 晶 体 学 报 v01．37N。．2 碳纳米管电荷分布对电子发射 场增强因子影响的研究 陈景东，王六定，施易军 (西北工业大学应用物理系。西安710072) 摘要：本文通过分析碳纳米管的电荷分布规律，巧妙地将处于外电场中且端口封闭的金属性碳纳米管等效成电荷 h／R+ 非均匀分布的球面，获得了包括端部球面电荷、管壁电荷与镜像电荷共同作用的场增强因子为口=1．14 2．62。结果表明：场增强因子是碳纳米管长径比h／R的线性函数，并与电荷分布密切相关。在此基础上，研究发现 35％的管壁电荷对碳纳米管电子发射的场增强因子贡献约为9．7％，但仍远大于镜像电荷的影响。根据模型中电 荷非均匀分布导致碳纳米管各处局域电场大幅度变化，解释了仅在球面的一定区域才大量发射电子且发射电流密 度不均匀的实验现象。 关键词：碳纳米管；电荷分布；场增强因子；场发射 中图分类号：TQl27 文献标识码：A Field EnhancementFactorofCarbonNanotube Relatedto Distribution Charge CHEN Jing一面，咯，WANGLiu—ding，SillYi-jun (Dep她．tofAppliedPhysics，NorthwesternPolytechnicalUniversity，Xi’an710072，China) 15 (Rece／ved 2007) May non—uniform the surface distributionforaclosedmetallic Abstract：By charge埘tIl introducingspherical carbonnanotubelocatedinthe electricfield obtainedthefieldenhancement applied Eo，we factor卢= I．14h／R+2．62．Theresultshows alinearfunction ratio of calculated of h／R carbon that卢is aspect nanotubeand to distribution．Thecontributionofthetube．wall about related charge chargesto口iS 9 itismuch thanthatof istheremarkableofthe 1 7％，but