脉冲电沉积制备CuInSe2%2fCuIn(Se%2cS)2薄膜及其组分和结构的调控.pdf

PREPARATION AND CONTROLLING COMPOSITION AND STRUCTURE OF COPPER INDIUM SELENIDE/ COPPER INDIUM SELENIDE SULFUR THIN FILMS BY PULSE ELECTRODEPOSITION A Dissertation Submitted to the Graduate School of Henan University in Partial Fulfillment of the Requirements for the Degree of Master of Science By Song Hucheng Supervisor: Prof. Du Zuliang May, 2013 摘 要 太阳能电池是把太阳能转换成电能从而彻底解决能源危机和环境污染的一种重要 手段。在众多的太阳能电池中，CuInSe (CIS)系薄膜太阳能电池因具有优异的光电性能， 2 高的转换效率等诸多优点，被光伏研究者公认为是最具大规模工业化应用前景的太阳能 电池之一。电沉积技术由于具有设备简单、成本低廉、可大面积连续沉积等优点而引起 了光伏研究者极大的兴趣。在以往的研究中，直流恒电位模式作为电沉积CIS 吸收层的 主要制备技术得到了广泛的研究。但是由于只有一个参数(沉积电位)可调，对薄膜生长 过程控制有限致使所得CIS 薄膜的化学组分难以得到有效的调控，且薄膜在后续退火处 理过程中容易产生Cu-Se 之类的杂项，这些都在很大程度上降低了CIS 电池的光电转换 效率。通过设计适当的沉积体系，将脉冲模式与恒电流沉积模式的优势结合起来，不仅 可以利用脉冲沉积的优势降低溶液的浓差极化，改善CIS 薄膜的微观形貌，增强薄膜与 基底的结合力，而且还可以利用恒电流模式的优势有效地调控薄膜的化学计量比，获得 大面积均匀致密的薄膜。此外，为了提高CIS 电池的光电转换效率，进一步降低电池的 成本，我们通过对一步电沉积制备的CIS 薄膜进行硒化/硫化处理来获得具有 S 元素梯 度掺杂的CuIn(Se,S)2 吸收层，该电池的最高转换效率目前已经达到21.3% 。 基于上述考虑，本文引入脉冲电源以恒电流的模式开展CIS 薄膜的制备研究，通过 探索最佳工艺条件，揭示薄膜的成核及生长机制，来实现对薄膜组分、形貌、晶型及与 基底的结合力的控制，从而发展CIS 材料形貌、结构、组分调控的新方法和新途径。在 此基础之上，通过控制硫化条件探索可实用化、低成本、高效率的CuIn(Se,S)2 吸收层的 制备技术。具体工作内容主要有以下三部分： (1) 恒电流脉冲电沉积制备CuInSe2 (CIS) 薄膜及其组分和结构的调控 采用脉冲电源以恒电流模式在FTO 基底沉积了CuInSe2 薄膜，通过优化脉冲参数制 备了具有标准化学计量比且大面积均匀致密的CuInSe2 薄膜，详细研究了脉冲参数对薄 膜组分、结构和形貌的影响。结果表明通过调控沉积电流可以线性调控CuInSe2 薄膜的 化学计量比。合适的脉冲谐振频率可以抑制CuInSe2 薄膜中Cu-Se 相的产生，增强薄膜 的光学吸收特性和表面光生电子空穴分离的能力。 (2) CuInSe2 的成核、生长过程及电沉积机制的研究 研究表明 CuInSe2 的生长和电沉积过程经历了以下几个阶段：首先，Se4+被还原成 I 0 0 2+ 0