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IGBT管、IGBT模块 技术参数符号术语说明： IGBT管、IGBT模块 绝对最大额定值（Absolute Maximum Ratings） 术语 符号 定义与说明 （条件请参照各种产品的说明书） 集电极一发射极间的电压(Collector-Emitter voltage) VCES 在门极一发射极之间处于短路状态时，集电极一发射极间能够外加的最大电压 门极-一发射极间的电压(Gate-Emitter voltage) VGES 在集电极一发射极间处于短路状态时，门极一发射极间能够外加的最大电压（通常±20V max.） 集电极电流(Collector current) Ic 集电极的电极上容许的最大直流电流 Ic pulse 集电极的电极上容许的最大脉冲电流 -Ic 内置二极管上容许的最大直流正向电流 -Ic pulse 内置二极管上容许的最大脉冲正向电流 最大损耗(Collector power dissipation) Pc 每个元件上的IGBT所容许的最大功率损耗 结温(Junction temperature) Tj 使元件能够连续性工作的最大芯片温度（需要设计成即使在装置中最坏的状态下，也不超出这个值） 保存温度(Storage temperature) Tstg 在电极上不附加电负荷的状态下可以保存或输运的温度范围 FWD一电流二次方时间积(FWD一I2t) I2t 在不破坏元件的范围内所允许的过电流焦耳积分值。过电流用商用正弦半波（50、60Hz）一周期来规定。 FWD一正赂峰值浪涌电流(FWD一IFSM) IFSM 在不破坏元件的范围内所允许的一周期以上商用正弦半波（50、60Hz）的电流最大值 绝缘强度(Isolation voltage) ViSO 在电极全部处于短路状态时，电极与冷却体的安装面间所容许的正弦波电压的最大有效值 安装力矩 (Screw torque) Mounting 用特定的螺钉将元件和冷却体（散热器）间夹紧时所用的最大力矩值 Terminal 用特定的螺钉将端子和外部配线夹紧时所用的最大力矩值 注：在任何情况下都不能超过所记载的绝对最大额定值。 IGBT管、IGBT模块 电特性(Electrical characteristics) 术语 符号 定义与说明 （条件请参照各种产品的说明书） 集电极一发射机间断路电流(Zero gate voltae collector current) ICES 门极(下称G)一发射极（下称E）间处于短路的状态时，在集电极（下称C）一E间外加指定的电压时C-E间的漏电流 门极-一发射极间的漏电流(Gate-emitter leakage current) IGES C-E间处于短路状态时，在G-E间外加指定的电压时G-E间的漏电流 门极-一发射极间的阀值电压(Gate-emitter threshold voltage) VGE(th) 处于指定C-E间的电流（下称集电极电流）和C-E间的电压（下称VCE）之间的G-E间的电压（下称VGE）（C-E间有微小电流开始流过时的VGE值用于作为衡量IGBT开始导通时的VGE值的尺度） 集电极一发射极间的饱和电压(Collector-emitter saturation voltage) VcE(sat) 在指定的VGE下，额定集电极电流流过时的VGE值（通常，VGE=15V，计算损耗时重要值） 静态特性 输入电容(Input capacitance) Cies C-E间交流性短路状态下，G-E间和C-E间外加指定电压时G-E间的电容 输出电容(Output capacitance) Coes G-E间交流性短路状态下，G-E间和C-E间外加指定电压时C-E间的电容 反向传输电容(Reverse transfer capacitance) Cres 在E接地的情况下，G-E间外加指定电压时C-G间的电容 二极管正向电压(Forward on voltage) VF 在内置二极管中流过指定的正方向电流（通常为额定电流）时的正方向电压（与VCE（SAT）相同，也是计算损耗时的重要值） 动态特性 开通时间 (Turn-on time) tOn IGBT开通时，VGE上到0V后，VCE下降到最大值的10%时为止的时间 上升时间 (Raise time) tr IGBT开通时，从集电极电流上升到最大值的10%时开始，到VCE下降到最大值的10%为止的时间 tr(i) IGBT开通时，从集电极电流上升到最大值的10%时开始，到达到90%为止的时间 关断时间 (Turn-off time) toff IGBT关断时，从VGE下降