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OB2358可以被MOJAY(茂捷) M5358替代 5 IC脚位说明 引脚信息 M5358 提供DIP8 封装，脚位如下. 定制信息： 编号 描述 M5358 APDIP8 无铅 封装散热等级 封装 RθJA (℃） DIP8 75 注意：IC的Drain脚的覆铜面积为100平方毫米 最大极限参数 参数 数值 内部高压功率管漏极（启动） -0.3V ~ BVdss 芯片电源电压 -0.3V ~ 30 V 内部栅极驱动电压 -0.3V ~ 30 V VDD钳位电流 10mA FB输入电压 -0.3 ~ 7V Sense输入电压 -0.3 ~ 7V 最低/最高工作结温 -20 ~ 150℃ 最低/最高储存温度 -55 to 150℃ 过锡炉温度（10S） 260℃ 注：最大极限值是指超出该工作范围，芯片有可能损坏。推荐工作范 围是指在该范围内，器件功能正常，但并不完全保证满足个别性能指 标。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测 试条件下的直流和交流电参数规范。对于未给定上下限值的参数，该 规范不予保证其精度，但其典型值合理反映了器件性能。 概述 特点???开关软启动可降低MOSFET的VDS压力 ???改善EMI的频率抖动技术 ? 极低启动电流和工作电流 ? 改善效率和待机功率最小化的扩展burst模式 ???消除音频噪声 ???50KHZ开关频率 ???完善的各种保护以及自恢复功能 ???逐周期电流限流 ???芯片供电欠压保护 ???自动重启功能 应用 ???离线式AV-DC反激变换器 ???手机充电器，上网本充电器 ???笔记本适配器，机顶盒电源 ???各种开放式开关电源 典型应用电路图： 输出功率表 产品 230VAC±15% 85-265VAC 开放式 开放式 M5358 27W 16W 说明:连续工作的最大功率是在开放的50度环境中，且转换器有有足够的散热条件下测得。 制作信息： 管脚描述： 管脚名称 I/O 描述 GND P 芯片地 FB I 反馈信号输入端，PWM占空比由该脚的电压以及SENSE脚的电流决定 VDD-G P 内部栅极驱动电压 SENSE I 电流采样信号输入端 VDD P 芯片电源 Drain O 内部高压功率管漏极， 该脚连接到变压器的初级绕组输出端 框图 电气参数(注4, 5) （无特别说明情况下，VCC=1V, TA=25℃） 符号 参数描述 条件 最小值 典型值 最大值 单位 工作电压 I_start up VDD启动电流 VDD=14.5V 5 20 uA I_VDD_Operation VDD工作电流 V_FB = 3V 1.6 mA VDD_UVLO(ON) VDD欠压保护（开启） 8.7 9.7 10.7 V VDD_UVLO(OFF) VDD欠压保护（关闭） 14.6 15.8 17.0 V OVP（ON） VDD过压保护（开启） CS=0V,FB=3V,增大VDD直到GATE时钟关闭 27 28.5 30 V VDD_Clamp VDD 钳位电压 IDD=10mA 30 V FB反馈 VFB_OPEN FB开环电压 5.4 5.7 6 V IFB_Short FB短路电流 FB接到地 1.45 mA VTH_OD 过零点门槛电压 0.8 V VTH_PL 功率限制门槛电压 3.7 V TD_PL 功率限制延迟时间 50 m Sec ZFB_IN 输入阻抗 4 K ohm 电流采样 Soft_start_time 软启动时间 4 m S T_blanking 电流采样前沿消隐时间 270 n s Z sense_IN 输入阻抗 40 K ohm TD_OC 过电流检测迟滞时间 从过流开始到驱动信号关闭 120 n s VTH_OC 内部电流限制门槛电压 0.72 0.77 0.82 V 时钟 COMP下钳位电压 1.5 V F_osc 正常振荡频率 45 50 55 KHE Δ f_Temp 频率温飘 5 % 符号 参数描述 条件 最小值 典型值 最大值 单位 Δ f_VDD 频率电压调整率 5 % D_MAX 最大占空比 V_FB=3.3V，CS=0V 70 80 90 % F_Burst Burst模式基准频率 22 KHZ 功率MOS BVdss 功率管击穿电压 600 V R ds_on 功率管导通阻抗 静态 Id=1.0A 4.4 5.5 Ω 频率抖动 Δ f_osc -4