熔盐电解SiO2C直接制备SiC纳米线.pdfVIP

第29卷第12期 无 机 化 学 学 报 V01．29No．12 CHINESE OFINORGANICCHEMISTRY 2543．．2548 2013年12月 JOURNAL 熔盐电解SiOJC直接制备SiC纳米线 赵春荣 杨娟玉 卢世刚★ (北京有色金属研究总院，北京 100088) 复合阴极，在900℃熔融盐CaCl：．中，恒槽压2．0V下电解，制备出碳化硅纳米线。采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电 成、形貌、微观结构等进行了表征。结果表明：碳化硅纳米线呈立方晶体结构，其直径为4．13nm，长可达数微米；室温下该纳米 线在415nm和534 nm附近有宽的发光峰。最后，讨论了碳化硅纳米线的生成机制。 关键词：SiC纳米线；电解还原；二氧化硅；酚醛树脂 中图分类号：TQl29 文献标识码：A 文章编号：lOOt-4861(2013)12-2543—06 DOI：10．39690．is