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中国科学 G 辑:物理学 力学 天文学 2008 年 第 38 卷 第 9 期 : 1221 ~ 1227 SCIENCE IN CHINA PRESS n 型GaN 薄膜输运性质与发光研究 * 张曾, 张荣, 谢自力, 刘斌, 修向前, 江若琏, 韩平, 顾书林, 施毅, 郑有炓 江苏省光电信息功能材料重点实验室, 南京大学物理系, 南京 210093 * 联系人, E-mail: rzhang@ 收稿日期: 2007-03-06; 接受日期: 2007-12-21 国家重点基础研究发展计划(编号: 2006CB6049)、国家高技术研究发展计划(编号: 2006AA03A142)、国家自然科学基 金(批准号: 60731160628,、教育部重大项目(编号: 10416)、高等学校博士学科点专项科研基金(编 : 20050284004) ( : BK2005210) 号 和江苏省自然科学基金 编号 资助项目 Si n GaN . GaN 关键词 摘要 系统研究了掺 的 型 的表面形貌、电学性质和光学性质 薄膜采用金属有机化学气相沉积系统(MOCVD)制备, 通过选择不同掺杂流量 n 型GaN 的SiH4, 使n 型载流子浓度变化范围为3×1016~5.4×1018 cm−3. 原子力显微镜研 表面形貌 究发现随掺杂浓度的增加样品表面形貌变粗糙, 表面位错坑密度增加, 表明了 霍尔效应 光致发光 晶体质量下降. 变温霍尔效应获得载流子浓度随温度的变化曲线(n~1/T ), 拟 合得到不同Si 掺杂量下, Si 杂质在GaN 中的电离激活能在12~22 meV 之间变 化, 它是施主波函数的相互作用增强所造成. 通过研究迁移率随温度( µ ~T ) 的 关系曲线, 认为载流子输运过程受不同温度下的散射机制影响. 光致发光谱研 究了室温下GaN 薄膜带边发光和黄带, 发现带边发光峰的移动是伯斯坦-莫斯 效应和能带重整化效应共同作用的结果, 并拟合得到了能带收缩效应系数 −8 eV/cm, 指出黄带的产生和变化与不同Si 掺杂浓度下Ga 空位的浓 − 1.07×10 度相关. GaN 材料由于其宽直接带隙、物理化学稳定性好, 在蓝光发光管(LED)、激光器(LD)、紫 外光探测器(UV)等光电子器件和高温微波大功率器件领域有广泛的应用前景, 近十年来受到 热切关注和集中研究. 制备 GaN 基光电器件需要高质量的 n 型 GaN, 目前采用MOCVD 技术 17 19 −3 : [1] 已经可以获得电子浓度可控在 1×10 ~ 4×10 cm 的 GaN Si 单晶膜 , 但还有许多值得研究的 问题, 如薄膜表面形貌、输运性质与光致发光等性质随掺杂的变化及其物理实质. 霍尔效应可 以测得与掺杂有关的重要参数, 如载流子浓度、迁移率与温度的关系, 从而掌握杂质能级以及 载流子输运过程中的散射机制等信息, 有利于优化材料生长与器件设计[2]. n 型 GaN 材料光致发 1221 张曾等