CVD法制备ZnO薄膜生长取向和表面形貌.pdf

第 29卷 　第 2 期 发 　光 　学 　报 Vol29 No2 2008年 4 月 CH IN ESE JOURNAL OF LUM IN ESCEN CE Ap r. , 2008 文章编号 : (2008) 020294 05 CVD 法制备 ZnO 薄膜生长取向和表面形貌 田　珂 , 施媛媛 , 徐小秋 , 钟 　声 , 傅竹西 (中国科学技术大学 物理系 , 安徽 合肥 　230026) ( ) 摘要 : 利用具有特定温度梯度的 CVD 设备 , 以锌粉和氧气为原料 ,在 Si 100 衬底上制备了 ZnO 薄膜 。研究 发现 ,锌粉中加入某些氯化物后可以改变 ZnO 薄膜的生长取向。用 FESEM 观察 ZnO 薄膜的表面形貌 ,发现 ( ) Zn和氯化物的量比为 1 ∶1时 ,生长的 ZnO 薄膜表面晶粒呈菱形或三角形 {101}面 ,当二者的量比为 10 ∶1 ( ) ( ) ( ) 时薄膜表面晶粒呈六棱台形 {00 1}面 。XRD 分析结果证实 ,前者只观察到 10 1 和 202 衍射峰 ,而后者出 ( ) ( ) 现 002 衍射峰且其强度大于 10 1 衍射峰 。改变衬底或温度后得到的结果相同。因此 ,作者认为氯化物改 变薄膜生长取向的现象与衬底和生长温度无关 ,添加的氯化物起到降低 ZnO { 10 1}面表面能的作用 , 随着氯 化物浓度的增加 ,薄膜从沿 [ 00 1 ]方向生长逐渐转向沿 [ 10 1 ]方向生长 。 关 　键 　词 : CVD ; ZnO 薄膜 ; 生长取向; 生长机理 中图分类号 : O484. 1; O766　　　PACC : 6 150C; 8110B 　　　文献标识码 : A [ 10 1 ]择优取向生长 ZnO 薄膜的报道 [ 6 ～8 ] 。本文 1　引　　言 我们利用具有特定温度梯度的 CVD 设备 , 以 Zn ZnO 薄膜的物理和化学性质如光学 、介电及 粉和 O2 为源通过添加氯化物生长出 [ 10 1 ]取向 表面吸附等性质强烈依赖于其生长取向和表面形 的 ZnO 薄膜 ,并分析其生长机理和表面形貌 。 貌 [ 1 ] 。ZnO 晶体的 { 10 1}面具有不同于 {00 1}和 2　实 　　验 {100 }面的性质 。{10 1}面是极性表面 ,与 {00 1} 面不同的是其表面的原子具有不同的配位数 ,分 ( ) 采用常压化学气相沉积 A PCVD 方法在不 别被束缚到一个或两个异性原子上 ,其悬键的数 同的衬底上制备 ZnO 薄膜 ,实验系统为经过改装 量比 {00 1}面要多[ 2