集成电路工艺中减薄与抛光设备的现状及发展.pdfVIP

趋势与展望 电 子 工 业 专 用 设备 EPE Equipment for Electronic Products Manufacturing 集成电路工艺中减薄与抛光设备的 现状及发展 费玖海，杨 师，周志奇 ( 中国电子科技集团公司第四十五研究所，北 京 101601) 摘 要 ： 晶 圆加工是单晶硅衬底 和集成 电路制造 中的 关键技术 之一 ，为 了得到更稳定 的硅 片 ，提 高其平整度和表 面洁净度 ，国内外技术人员越 来越 注重减 薄与抛光设备的研究与改 进 。 介绍 了针 对硅 片平坦化工艺 的减 薄设备及现阶段加工过程 中防止碎片的技术方 法 ； 介绍 了化 学机械抛 光 设备的技术发展现状 以及针对硅 片抛 光的后清洗工艺 。 关键词 ： 集成电路 ；硅片 ；减薄 ； 中图分类号 ： TN305.2 文献标识码 ： A 文章编号 ：1004-4507(2014)02-0006-05 The Trends and the State of Grinding Technology and Polishing Productionsin IC Manufacturing FEI Jiuhai ，YANG Shi ，ZHOU Zhiqi (The 45th Research Institute of CETC ，Beijing 101601 ，China) Abstract: Silicon substrate processis one of core technology in IC fabrication. For steady and better surface of silicon wafer ，Researchers are paying more and more attentions on the structures of Grinding and Polishing. This paper introduces the technology of silicon substrate actuality. Mainly about the measure of decreasing wafer scrap. Analyzes the technology and development of the polishing and cleaning process of silicon wafer. Keywords: IC ；Silicon wafer ；Grinding ； 减 薄 与 抛 光技术 是 晶圆加 工 过程 中必 不可 技术 。 随着微 电子 技术 向 32 nm 、22 nm 及 以下 少 的工序 ，在 集成电路 (IC) 制造中，已成为 与 光 技术 节 点 方 向发展，IC 平 坦 化 工 艺 仍 然 是 集 成 刻 、刻蚀 等 技术 同等重要 、且 相 互依赖 的不可缺 电路制造中的重要支撑技术 。 目前 ，抛 光 工艺 已 少 的技术 。是集成电路进入 0.25 μm 以下节 点 ， 成功延伸应用到 22 nm 节 点 ，在 IC 制造工艺中 提 高生产效率 、降低成本 的晶圆全局平坦化关键 发挥着 重要 的作用 ，已经 开始 向 16 nm 节 点制造 收稿日期 ： 01-21 2014- 6 （总第228 期 ） Feb． 2014 EPE 电 子 工 业 专 用 设备