12对棒还原炉高压启动技术方案-2009.docVIP

多晶硅还原炉高压启动系统 技术方案 四川英杰电气有限公司 2009.08 目 录 1 序言 2 2 设计原则和引用标准 2 3 还原炉参数及设备使用环境 3 3.1 还原炉基本参数 3 3.2 设备使用环境 3 4 高压启动技术方案 3 4.1 概述 3 4.2 基本控制原理 4 4.3高压启动原理 5 4.4启动电源性能指标 6 5设备技术参数 9 5.1 高压启动电源 9 5.2启动维持电源 9 5.3切换柜 9 5.4隔离柜 10 5.5 PLC控制系统 10 5.6安装尺寸 11 6 还原车间电气设备布置 12 7 供货清单 14 8 设备安装、调试、验收 14 9 质量保证及售后服务承诺 14 1 序言 我公司总结为多家厂家提供设备的运行情况，经过反复设计修改，制定了本技术方案。本方案对设备的工作原理、功能工艺实现、技术参数、主要结构和附属设备的功能设计等进行了描述。本方案中涉及到的设计内容，均以满足用户使用要求、工业标准、国家有关安全环保等强制标准来进行设计。 我公司愿意以先进的技术，长期以来积累的经验，可靠的质量，合理的价格，优质的服务，为贵公司的发展做出贡献。 2 设计原则和引用标准 《半导体变流一般要求和电网换向变流器》 IEC 60146-1-1:1991 《半导体变流器通过电流使用熔断器保护的应用导则》IEC/TR2 60146-6:1992 《电子设备机械结构》 IEC 60297-5-2001 《电气绝缘系统》 IEC 61858:2004 《低压开关设备和控制设备》 IEC 60947-5-1:2004 《低压开关设备和控制设备》 IEC 60947-5-2:2004 《外壳防护等级（IP代码）》 IEC 60529:1989 《测量和控制数字通信工业控制系统用现场总线第三部份PROFIBUS规范》JB/T 10308.3-2001 《电磁兼容试验和测量技术》 GB/T 17828.2-1998 3 还原炉参数及设备使用环境 3.1 还原炉基本参数 硅棒对数： 12对 硅芯长度： 2.5m 横梁长度： 0.23m 硅芯直径： Φ7～Φ10 炉壁温度： 110～130℃ 3.2 设备使用环境 温 度： -20～45℃ 湿 度： 20%～80%RH 振 动： 0.5G无剧烈振动冲击 海拔高度： 小于3000米 4 高压启动技术方案 4.1 概述 本项目还原炉数量为16台，8台还原炉共用一套高压启动系统。由两套PLC系统控制管理16台还原炉的高压启动系统的电气设备。 还原炉总硅芯数为12对，分两圈布置，内圈4对，外圈8对。 4对硅芯组成一个组，内圈4对为一组，简称内圈，外圈8对分为两组，简称外圈1、外圈2。 硅芯被高压启动电源击穿后，转换到启动维持电源继续加热，待硅芯温度升到一定程度，再转换到还原电源工作。 图4-1 硅芯布置示意图 4.2 基本控制原理 硅芯被击穿之前，高压启动电源为恒压工作，电源可以输出0～12kV的连续可调电压；硅芯被击穿之后，高压启动电源为恒流工作，电源可以输出0～15A的连续可调电流。 高压启动电源输出恒定电流加热一段时间后，切换到启动维持电源继续加热，维持电源提供0～4kV中压加热硅芯，进一步提高硅芯的温度。 维持电源加热数分钟后，交由还原电源工作，进入正式生产状态。基本控制原理如图4-2所示。 图4-2 基本控制原理图 4.3高压启动原理 硅芯冷态电阻率很大，采用高压击穿、中压维持加热的原理启动硅芯。 高压启动电源系统由4台高压启动电源柜、3台启动维持电源柜组成，形成高压启动总线。1台还原炉配置1台切换开关柜（QHG）和3台隔离开关柜（GLG），换开关柜（QHG）用于切换使用高压启动母线，可依次启动1～n台还原炉；隔离开关柜（GLG）用于隔离保护还原调功柜。 4台启动电源分别击穿还原炉内A、B、C三相的1＃、2＃、3＃、4＃硅芯。 3台维持电源分别加热还原炉内A、B、C三相硅芯。 图4-3 高压启动总线联络图 4.3.1击穿方式 4台高压启动电源，同时或分时投入击穿4对硅芯。 4.3.2启动步骤 高压启动电源全部击穿A相的4对硅芯后，交由A相启动维持电源加热。 高压击穿电源全部击穿B相的4对硅芯后，交由B相启动维持电源加热。 高压击穿电源全部击穿C相的4对硅芯后，交由C相启动维持电源加热。 3台启动维持电源加热A、B、C三相12对硅芯，数分钟后停止工作，同时断开切换柜的三组接触器，合隔离柜，交由还原电源系统工作。 一台还原炉启动完毕，可继续启动其他还原炉，步骤同上。 4.4启动电源性能指标 4.4.1 高压启动电源 电气原理及输出范围