模拟电子技术》期末总复习.pptVIP

《模拟电子技术》期末总复习 抓住基本概念基本知识和基本分析方法； 注重知识的综合应用。 第2章 半导体器件基础 2.1.1半导体特性 掺杂可改变和控制半导体的电阻率 温度可改变和控制半导体的电阻率 光照可改变和控制半导体的电阻率 2.1.2 本征半导体 排列整齐、纯净的半导体称为本征半导体。 两种载流子（电子、空穴），成对出现。 在电场作用下，载流子作定向运动形成漂移电流。 第2章 半导体器件基础 2.1.3杂质半导体 （1）N型半导体（本征半导体＋5价元素） 电子为多数载流子，空穴为少数载流子 （2） P型半导体（本征半导体＋3价元素） 电子为少数载流子，空穴为多数载流子 2.1.4载流子的扩散与漂移运动 扩散运动是由于载流子浓度梯度产生的。 扩散运动形成扩散电流 漂移运动在电场作用下产生的。漂移运动形成漂移电流。 第2章 半导体器件基础 2.2.1PN结 形成过程：扩散?扩散、漂移?扩散＝漂移 第2章 半导体器件基础 2.2.3 PN结反向击穿特性 （1）电击穿（可逆） 雪崩击穿－发生在掺杂浓度较低、反压较高（6V）的PN结中。 齐纳击穿－发生在掺杂浓度较高、反压不太高（6V）的PN结中。 （2）热击穿（不可逆，会造成永久损坏） 第2章 半导体器件基础 PN结总电容Cj:Cj=CT+CD P