变流变频技术应用 复习题3.docVIP

1. 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 2. MOSFET管的反向电压承受能力（ ）。 A. 很高 B. 很低 C. 适中 D. 不确定 3. 单相半波可控整流、阻性负载，其功率因数随控制角的增大而（ ）。 A. 无关 B. 增大 C. 减小 D. 不确定 4. 下列哪种情况能够产生交流侧浪涌过电压（ ）。 A．快速熔断器熔断 B. 雷击 C. 变压器一次侧电压峰值时合闸 D. 晶闸管损坏 5. 在三相全控桥整流电路、电阻性负载，两组触发信号之间间隔多少度（ ）。 A．180° B. 150° C. 120° D. 60° 6. 电力电子装置中绝缘栅双极型晶体管一般工作在（ ）状态。 A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D. 开关 7. 功率场效应管适合在（ ）条件下工作。 A. 直流 B. 高频 C. 低频 D. 中频 8. 三相桥式全控整流电路中，晶闸管承受的最高反向电压是（ ）。 A. U2Φ B. U2Φ C. 2U2Φ D. U2Φ 9. 升压式直流斩波变换电路输出直流电压Ud与U的比值等于（ ）。 A. k B. 1/(1-k) C. k/(1-k) D. 1/k 10. IGBT在工作过程中，管子本身产生的管耗，等于管子集电极C与发射极E两端的电压乘以（ ）。 A. 集电极电流 B. 栅极电流 C. 集电极电流与栅极电流之差 D. 集电极电流与栅极电流之和 11. 电力电子装置中电力晶体管一般工作在（ ）状态。 A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D. 开关 12. 电力场效应管MOSFET适合在（ ）条件下工作。 A. 直流 B. 高频 C. 低频 D. 中频 13. 单相桥式全控整流电路中，晶闸管承受的最高电压是（ ）。 A. U2Φ B. U2Φ C. 2U2Φ D. U2Φ 14. 升降压式直流斩波变换电路输出直流电压Ud与U的比值等于（ ）。 A. k B. 1/(1-k) C. k/(1-k) D. 1/k 15.晶闸管工作过程中，管子本身产生的管耗等于管子两端电压乘以（ ）。 A. 阳极电流 B. 门极电流 C. 阳极电流与门极电流之差 D. 阳极电流与门极电流之和 16. 普遍采用的PWM直流斩波变换电路的工作方式是（ ）。 A. 调频调幅 B. 频率调制 C. 调宽调频 D. 脉宽调制 17. IGBT管的反向电压承受能力（ ）。 A. 很高 B. 很低 C. 适中 D. 不确定 18. 单相桥式全控整流电路、阻性负载，其功率因数随控制角的增大而（ ）。 A. 无关 B. 增大 C. 减小 D. 不确定 19. 单相交流调压电路，电感性负载，当αφ时，（ ）。 A．正负半波电流断续 B. 正半波电流大于负半波电流 C. VT1管不关断，VT2管不能导通 D. 导通角等于180° 20.在三相半波可控整流电路、电阻性负载，晶闸管的最大控制角为（ ）。 A.180° B.150° C.120° D.90° 21.在变频电路中，利用具有自关断能力的电力电子器件，应选用（ ）方式。 A．器件换流 B. 负载换流 C. 强迫换流 D. 脉冲换流 22.在晶闸管的过流保护方式中，下列哪种方式不适用于短路过电流保护（ ）。 A．直流快速开关 B. 阻容吸收电路 C. 快速熔断器 D. 串接电抗器 23.压敏电阻适用于下列哪种保护（ ）。 A．电压上升率 B. 电流上升率 C. 过电流 D. 浪涌过电压 24.三相半波可控整流电路，电感性负载，不接续流二极管，则可控整流输出的直流电压的计算式是（ ）。 A． B. C. D. 25.电压型三相桥式变频电路由于每次换相总是在同一相上下桥臂管之间进行，称为纵向换相。则每个主控管导通角为（ ）。 A． 60° B.120° C. 180°