半导体集成电路术语解释.docVIP

集肤效应 在微波频率时，导体的电流密度将不会是平均分布于整个导体内部，而是在表面附近有较大的电流密度，在导体中心部分的电流密度是最小的。我们称这种现象为〝集肤效应〞。〈因为电流密度集中于表面处。〉 图一 高频时的导体电流密度分布情形，大致如图一所示，由表面向中心处的电流密度逐渐减小。在此引进一个临界深度δ〈critical depth〉的大小，此深度的电流密度大小恰好为表面电流密度大小的1/e倍：......(1) 其中，f为频率，μ为导磁率〈H/m〉，ρ为电阻率〈mho/m〉。 由(1)可知，当频率愈高时，临界深度将会愈小，结果造成等效阻值上升。因此在高频时，电阻大小随着频率而变的情形，就必须加以考虑进去。 IC制作流程 ? 整个IC制作的流程大概可分为电路设计〈IC design〉、晶圆加工〈wafer fabrication〉、封装〈packaging〉及测试〈test〉四大部份，其关系如下图所示：? 当我们决定好对一个IC所要求的功能及其工作规格后，便开始着手电路设计。电路设计的主要目的在产生布局图〈layout〉，它能定义出晶圆加工制程中所需要的各层图案〈pattern〉。藉由布局图，可做成晶圆加工制程中所需要的各道光罩〈mask or reticle〉。 接下来的晶圆加工制程，可以说是整个IC制作流程中最复杂、资金及技术最密集的一部份。这个部份就是要将上一个设计程序所设计出来的电路及电子组件，能在晶圆上加以实现。而电路上所用到的电子组件〈晶体管、电阻、电容、电感...〉及其间的联机〈interconnection〉，则必须靠各单元制程〈氧化、黄光微影、薄膜沉积、蚀刻、参杂...〉间的反复配合才能完成。光罩在此的功用在于能定义出各层薄膜的图案、组件区域，或组件间的联机情形，以达所要的电路功能及规格。所谓的〝晶圆代工〞厂，就是专门将别家公司所设计出的电路，以该公司晶圆加工制造厂〈Fab.〉现有的技术能力及仪器设备，完成其晶圆加工制程之意。 晶圆加工完后的晶圆，一般会经过晶圆针测〈wafer probe〉的过程，将失败的晶粒加以标记〈ink dot〉。后将晶圆切割成一小片一小片的晶粒，好的晶粒才会送到构装〈packaging〉厂加以构装。 构装的材料一般为陶瓷或塑料，而构装的目地在保护其内的晶粒不会受到外界的机械性破坏〈刮痕...〉或免于水气微尘的渗入。除此以外，它还要提供内部晶粒电极和外部电路板相连的管道〈藉由内部打线，再用IC外壳的pin和电路板接通〉。随着IC功能的提升，构装的散热能力和尺寸大小都是构装技术必须考量的。 构装后的IC为了品质的确认，会进行测试〈test〉的步骤。在这里会进行一连串的电气测试，如速度、功率消耗...等，唯有符合客户需求规格的IC才能交给客户。 主动被动 曾在BBS的《electronics》版中看到大家在讨论〝什幺叫被动组件〞，当然元素也有参与其中的讨论，不过大家对于主动及被动组件的分别似乎有不同的看法。这个话题也曾经困扰过元素，在此元素不讨论真正的说法为何，只把我从书上找到的定义条列于下，供大家参考： 以下说法取自〝电子学辞典--伊恩辛克莱〈Ian R. Sinclair〉着；葛登巴尔绘图；陈荫民、潘大连译--猫头鹰--ISBN 957-8686-99-4〞。 说明 active component 主动组件 又称主动器件〈active device〉。一种能增加信号功率的电路组件。主动组件在工作时需电源，才能有可量功率增益〈power gain〉，这与电压增益或电流增益不同。 passive component 被动组件 不能产生功率增益〈power gain〉的组件〈component〉。诸如电阻器、电容器和线性电感器〈包括变压器〉都是被动的。有电源时的非线性作用，如在磁放大器〈magnetic amplifier〉中，能使组件归入主动组件〈active component〉中。 ? 在〝半导体的故事--李雅明着--新新闻--ISBN 957-8306-62-8--p214〞中有提到：在电子学中，我们一般把真空管、晶体管等，具有控制电压或电流的能力，可以完成开关或者达成增益功能的组件称为主动组件，而把像电阻器、电容器、电感器等不能做上述功能的组件称为被动组件。 半导体 半导体〈semiconductor〉，顾名思义，是导电力介于金属等导体和玻璃等非导体间的物质。若以导电率来看，半导体大致位于1e3和1e-10(ohm-cm)-1间〈当然这只是概分，这三者之间并没有制式的界限存在〉。室温下铝的电阻系数为2.5e-6 ohm-cm，而玻璃则几乎为无限大。会有这种现象是因为物质内部电子分布在不同的能量范围〈或称能带，energy band〉内，其中