浙大 电力电子技术第二章.pptVIP

第二章 功率半导体器件的驱动与保护 2.1晶闸管的驱动与保护 2.2电流型自关断器件的驱动 2.3电压型自关断器件的驱动 2.4自关断器件的保护 晶闸管的驱动与保护 晶闸管的触发电路 晶闸管的驱动与保护 单结晶体管移相触发电路 一、单结（双基极）晶体管的结构与特征 1、结构 基区电阻Rbb=Rb1+Rb2 ；Rb1随Ie而变化 晶闸管的驱动与保护 2、实验电路 晶闸管的驱动与保护 晶闸管的驱动与保护 晶闸管的驱动与保护 晶闸管的驱动与保护 晶闸管的驱动与保护 晶闸管的驱动与保护 晶闸管的驱动与保护 四、单结晶体管触发实例 1、单结晶体管同步触发实例 晶闸管的驱动与保护 2、锯齿波同步移相触发器 晶闸管的驱动与保护 晶闸管的驱动与保护 1、同步检测 uTB由“+”变为“-” VT2截止，C2充电，据齿波形成(宽度为VT2的截止时间) 负半周下降段∶VD1通，C1充电，上(-)下(+)，O接地，R负反馈， Q也为负电位，VT2反偏截止，C1不能经VD-1放电。 负半周上升段∶+15V经R1给C1充电，uQ为C1反向充电波形，上升速度 比R点同步电压慢，故VD1截止，Q点电位1.4V时，VT2 通，uQ钳制在1.4V uTB相位与主电路相位一致，故可实现同步。 锯齿波宽度=VT2截止时间(由R1C1决定) 晶闸管的驱动与保护 晶闸管的驱动与保护 晶闸管的驱动与保护 晶闸管的驱动与保护 晶闸管的驱动与保护 晶闸管的驱动与保护 晶闸管的驱动与保护 晶闸管的驱动与保护 3、集成触发器 晶闸管的驱动与保护 4、数字触发器 晶闸管的驱动与保护 晶闸管的驱动与保护 晶闸管的驱动与保护 晶闸管的串、并联和保护 1、晶闸管的串联 晶闸管的驱动与保护 均压措施： (1) 选择特性较一致的元器件 (2) 并电阻，Rj阻断电阻 晶闸管的驱动与保护 瞬态均压： 考虑结电容，触发特性，导通、关 断时间， 加RC阻容(R防止di/dt过大) 晶闸管的驱动与保护 2、晶闸管的并联 晶闸管的驱动与保护 1)、电阻均流 晶闸管的驱动与保护 3.过压保护 一、 过电压保护 过电压类型： 操作过电压：拉合闸、器件关断引起 浪涌电压：雷击等引起，由电网进入装置 晶闸管的驱动与保护 晶闸管的驱动与保护 （1）用避雷器防止雷达过电压损坏元件 （2）三相变压器星形中点通过电容接地，或次级绕组并联电容， 以防止原边合闸而将高压耦合至副边，也可在原副边间加 屏蔽层（无电容）。 ? 三相时的情况∶ 晶闸管的驱动与保护 过压保护的方法 (1)阻容保护 晶闸管的驱动与保护 (2)压敏电阻保护 晶闸管的驱动与保护 (3) 通流容量 在规定波形下（10μS（前沿），波长20μS）允许通过的浪涌峰值电流 晶闸管的驱动与保护 二、过电流保护 原因：过载，直流侧短路，触发，控制电路故障，环流，逆变失败 保护：（1）交流进线电抗器，限制短路电流 （2）电流检测，用过流信号控制触发电路或接触器 （3）直流快速开关 （4）快熔 晶闸管的驱动与保护 选用原则： （1）额定电压大于线路正常工作电压 （2）熔体额定电流（有效值）被保护元件对应电流有效值 实际电流IT 晶闸管的驱动与保护 1、交流侧du/dt的限制 由整流变压器(或LT进线电抗)与阻容形成滤波 环节，使过压衰减。 晶闸管的驱动与保护 （二）、di/dt的限制 电流密度过大而烧毁 产生原因：(1) 换流电流增长过快 (2) 直流侧阻容中电容过大，电容充、放电电流 (3) 元件并联的阻容在元件导通时的放电电流 (4) 并联元件先通者di/dt较大 限制方法 (1) 加进线电抗器 (2) 桥臂串电感(可限制1、2、3引起的di/dt) (3) 采用整流式阻容保护 第二章 功率半导体器