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MOV压敏电阻器的基本特性Main topics: 1. Varistor characteristic and parameters; (压敏电阻器的基本特性及参数) 2. Microstructure and conduction mechanism (压敏电阻的显微结构和传导机理) 3. Production flow and process control (生产工艺流程及工艺控制) 4. Product class and type (产品种类及型号含义)  1. 压敏电阻器的基本特性及参数 压敏电阻器是一类对电压敏感的敏感元件，是电压超过某一值后，其电阻值随所加电压显著变化的电阻器。因此也有人称之为变阻器(Varistor = variable resistor)或非线性电阻器。 压敏电阻器的基本特性V/I 特性  压敏电阻器的基本参数 Uv压敏电压： 流过压敏电阻器的电流为1mA时，加在它两端的电压降称为压敏电压。 Is漏电流： 压敏电阻器在进入击穿区之前正常工作时所流过的电流，称为漏电流。测量时，我们是给压敏电阻器施加一定值的直流电压（大小约等于最大交流工作电压），测量流过压敏电阻器的电流。 Us漏电流电压： 流过压敏电阻器的电流为Is时，加在它两端的电压降称为漏电流电压。 Is一般为3mA，对于低压产品（最大交流工作电压50V）Is为9mA。 Uk钳制电压（保护水平）： 流过压敏电阻器的电流为Ik时，加在它两端的电压降称为钳制电压，钳制电压也称为压敏电阻器的保护水平。 Ik：与压敏电阻器的电极面积及电压等级有关，对于S-VAR，Ik为1~100A。 型号 瓷片直径 [mm] 最大交流工作电压 [V] 最大保护水平 Ik [A] Uk [V] S05K11~K40 5 11~40 1.0 36~135 S07K11~K40 7 11~40 2.5 36~135 S10K11~K40 10 11~40 5.0 36~135 S14K11~K40 14 11~40 10.0 36~135 S20K11~K40 20 11~40 20.0 36~135 S05K50~K460 5 50~460 5.0 135~1240 S07K50~K460 7 50~460 10.0 135~1240 S10K50~K680 10 50~680 25.0 135~1815 S14K50~K680 14 50~680 50.0 135~1815 S20K50~K680 20 50~680 100.0 135~1815 S14K1000 14 1000 50.0 2970 S20K1000 20 1000 100.0 2970 ? 压敏电阻的允许偏差 允许偏差：?J：±5% K：±10% L：±15% M：±20% S：特殊偏差 最大交流工作电压-URMS ?在最高工作温度下连续施加1000小时的交流电压，然后在室温和正常湿度下存放1-2小时，压敏电阻器的压敏电压的变化绝对值小于10%所能施加的最大电压，称为最大交流工作电压。 最大直流工作电压-UDC 在最高工作温度下连续施加1000小时的直流电压，然后在室温和正常湿度下存放1-2小时，压敏电阻器的压敏电压的变化绝对值小于10%所能施加的最大电压，称为最大直流工作电压。 通流容量/耐浪涌电流能力-Imax 压敏电阻器经大脉冲电流冲击后，其U/I特性会产生蜕变。蜕变的结果会使漏电流增大，Uv下降，这对许多应用来说是不允许的，因此，必须对经高浪涌电流冲击后，U1mA的下降有所限制。把满足U1mA下降要求的压敏电阻器所承受的最大冲击电流，称为压敏电阻器的通流容量，也称为通流能力或通流量，它是表征压敏电阻器耐受高浪涌电流冲击的能力的一个参量。 通流容量与脉冲幅度，脉冲持续时间及所承受的脉冲次数有关，如下图所示  最大浪涌电流Imax是用8/20ms的脉冲冲击后压敏电压变化的绝对值小于10%且样品无机械破损所能通过的最大电流。 最大能量吸收能力-Wmax ?施加能量为某一定值的规定波形（持续时间相对较长）的冲击电流，冲击后压敏电压变化的绝对值小于10%且样品无机械破损所能通过的最大能量称为压敏电阻器的最大能量吸收能力。 最大能量吸收能力wmax是用2ms的波形冲击后压敏电压变化的绝对值小于10%且样品无机械破损所能吸收的最大能量。 2.?? 压敏电阻的显微结构和传导机理 ZnO 压敏电阻是由ZnO与金属氧化物添加剂经过充分混合、研磨、成型后，经高温烧结而形成的一种多晶氧化物半导体陶瓷元件。 ? 从微观结构上看，这种多晶半导体陶瓷主要由晶粒和晶界两部分组成。 ? 晶粒：主要成分?ZnO；电阻率较低：0.1~10W.cm。 ? 晶界：添加剂的富集区；