m面蓝宝石衬底上ZnO外延薄膜的性能.pdfVIP

第28卷增刊 半导体学报 V01．28 Supplement 2007年9月 CHINESEJOURNALOFSEMICoNDUCTORS Sep．，2007 m面蓝宝石衬底上ZnO外延薄膜的性能 崔军朋’ 段 壶 王晓峰 曾一平 (中国科学院半导体研究所新材料部，北京100083) 摘要：采用自行研制的CVD设备在m面蓝宝石衬底上成功生长了微米级的ZnO外延薄膜．采用X射线衍射 ZnO样品的截面，并测得其厚度．同时利用室温光致发光(PL)谱及霍尔(Hall)测试研究了ZnO外延薄膜的光学性 质和电学性质． 关键词：m面蓝宝石；ZnO外延薄膜；微米级 PACC：7280E 中图分类号：TN304．054文献标识码：A 文章编号：0253．4177(2007)SO-0157．03 1 引言 2 实验 ZnO是一种新型的Ⅱ一Ⅵ族直接带隙宽禁带化 蓝宝石衬底的处理步骤为：分别在无水乙醇、丙 合物半导体材料，室温下禁带宽度为3．37eV[1]，且酮、无水乙醇溶液中用超声波清洗3rain；再分别在 激子束缚能高达60meV[2]，具备了室温下短波长发 光的有利条件．近年来ZnO薄膜自形成谐振腔的出 现和ZnO光泵浦紫外激光的获得[3“]，极大地鼓舞洗干净后放人甩干机中甩干，然后直接放入反应室． 了人们的研究热情，使得ZnO成为继GaN之后，宽生长所用的源材料为纯度为99．999％的Zn粒和 禁带半导体光电材料领域研究的热点之一． H。O蒸汽，载气为N：，生长温度为740℃，在常压下 为了获得高质量ZnO单晶薄膜，采用同质外延 生长，生长时间为1h． 是最佳选择．但目前获得高质量的ZnO体单晶还比 较困难，另外其生产成本也比较高，这两点直接限制 3结果与讨论 了ZnO体单晶的应用．采用异质外延的方法制备高 质量ZnO单晶薄膜是值得并且正在探索的方向，因 图1为在m面蓝宝石衬底上生长的ZnO样品 为蓝宝石材料价格相对较低，能得到大面积的单晶， 的X射线衍射结果．图中每组分裂的衍射峰分别对 且光透过率很好，可以透过波长高达6m的光，因 应于Cu靶的Kal射线及Ka2射线产生的衍射峰． 此蓝宝石成为生长ZnO材料较常用的衬底之一．大 部分ZnO薄膜的生长研究集中在蓝宝石衬底的c 面‘”]，a面‘8’9]，及r面[10,11]，而利用m面蓝宝石 作为衬底的研究却很少[123，本文在m面蓝宝石衬 底上生长了微米级的ZnO薄膜，且得到了较好的晶 的衍射强度很小，说明所生长的ZnO外延薄膜的主 体结构、电学性质和光学性质． 要晶面为m面．20=68．22。处的衍射峰来源于蓝宝 本论文采用自行研制的CVD设备在m面蓝石衬底的(3030)晶面的衍射．由图1可以看出，生长 宝石衬底上成功生长了微米级的ZnO薄膜，采用X的ZnO薄膜虽为多晶结构，但以(1010)晶面为主， 射线衍射(XRD)和双晶X射线摇摆曲线(DxRD)即在m面蓝宝石衬底上生长出了以m面为主的 研究了ZnO薄膜的结构特征．利用扫描电子显微镜 ZnO多晶结构． (SEM)观测了ZnO样品的截面，并测得了其厚度．为了进一步研究外延ZnO薄膜的晶体质量，我 同时利用室温光致发光(PL)谱及霍尔(Hall)测试 研究了ZnO外延薄膜的光学性质和电学性质． 描的摇摆曲线，其半高宽为44r(如图2所示)．这说 t通信作者．Email；jpcui@scmi．ac．cn 2006·12—12收到，2006．12．28定稿 @2007中国电子学会 158 半导体学报 第28卷 1600