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2015-09-27 发布于重庆
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Study of Aun ZnSe contact by ballistic electron emission microscopy.pdf

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Study of Aun ZnSe contact by ballistic electron emission microscopy

M.J. CONDENSED MATTER VOLUME 4, NUMBER 1 1 DECEMBER 2001 Study of Au/n- ZnSe contact by ballistic electron emission microscopy ∗ A. Chahboun and I. Zorkani Laboratoire de la Physique des Solides, Faculté des sciences Dhar Mehraz, BP 1796, Fès-Maroc R. Coratger, F. Ajustron and J. Beauvillain CEMES/CNRS- BP 4347, 31055 Toulouse 04, FRance Ballistic Electron Emission Microscopy (BEEM) has been used to characterise the Au/n-ZnSe contact. A mean statistical BEEM threshold of 1.63eV is in good agreement with literature. Metal - Insulator- Semiconductor (MIS) structures are invoked to explain the Schottky barrier height dispersion and the observed shift of BEEM thresholds to higher values. PACS: 73.30.+y, 61.16.ch, 73.23.Ad, 73.61.Ga In this work the experiments were carried out at room I. INTRODUCTION temperature and in ambient atmosphere. The sample The recent interest of researchers to study the wide band gap ZnSe compound may be explained by its applications as a short wavelength emitter1,2 and the consisted of 0.5 mm diameter Au dots. The gold film is fabrication of various optoelectronic devices such solar evaporated on n-ZnSe (1.5 1016 cm-3 Indium doped) grown 3