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对P型GaP掺杂及红光LED量子效率的影响
%
20 7 ! 2009 7 ! ! ! ! ! ! Journal of ptoelectronics %Laser! ! ! ! ! ! ! ! Vol. 20 No.7 ! Jul. 2009
/对P型GaP掺杂及红光LED量子效率的影响*
* *
丁! 亮 , 李建军, 康玉柱, 于晓东, 邓! 军, 韩! 军, 沈光地
(, , 100022)
: (LPMOCVD) , (LED)
/ 1326 52 GaP , , / Mg
/ GaP, LED , , GaP , / 52
LED / 13, 23.7% , 20.4%
: (LED) ; (MOCVD) ; GaP; /
:TN244! ! :A ! ! : 100500 6(2009) 070 6703
Theinfluenceof / ratiotodopingin P∀ GaP and RedLED
* *
DING liang , LI Jianjun, KANG Yuzhu, YU Xiaodong, DENG Jun, HAN Jun,
SHEN Guangdi
( College of Electronic Information Control Engineering, Laboratory of Optoelectronic Technology of Beijing, Bei
jing University of Technology , Beijing 100022, China)
Abstract:The doping characteristics in the window layer of red LED have been studied in LPMOCVD
system. GaP material has been grown when V/ III ratios are 13, 26 and 52,respectively. The experimen
tal results indicate that V/ III ratio effects carrier concentration and mobility. Finally,red LED with GaP
window layer has been fabricated, where GaP has been grown under the abovementioned V/ III ratios.
The result shows that the output power of LED with GaP layer,in which the V/ III is 52, is increased by
23.7% in contrast with LED with GaP layer in which V / III is 13 , while the light intensity increases
20.4%.
Key words:red LED; MOCVD; GaP; / ratio
[ ]
, P
1! ! GaP LED
! ! ( LED)
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