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氩离子轰击和溅射功率对Cu薄膜结构及性能的影响
第46 卷第2 期 真 空 VACUUM Vol. 46, No. 2
2009 年3 月 Mar. 2009
氩离子轰击和溅射功率对Cu 薄膜结构及性能的影响
周序乐，唐振方，吉 锐，沈 娇
（暨南大学物理系，广东 广州 510632）
摘 要：采用直流磁控溅射法在 PI 柔性衬底上制备 Cu 膜。通过接触角测试仪、X 射线衍射仪、四探针
测试仪等仪器研究了 Ar+ 轰击时间和溅射功率对薄膜接触角、择优取向、 晶粒大小及电阻率的影响。
测试结果表明：随着 Ar+ 轰击时间的延长，接触角减小，轰击时间为 3 min 时，接触角达到最小为
45.0 ° ，进一步延长Ar+ 轰击时间反而会导致接触角增大。Ar+ 轰击时间由 1 min 增加到 3 min 时，平均
晶粒尺寸由16.6 nm 增加到22.9 nm ，电阻率从 16.2 μΩ ·cm 降低到 10.7 μΩ ·cm 。溅射功率从 3250 W
增加到 7500 W 时，〈111〉 晶面择优取向增强，Cu 膜平均晶粒尺寸由 15.1nm 增加到 17.6nm，电阻率从
11.6 μΩ ·cm 降低到7.4 μΩ ·cm 。
关键词：磁控溅射；Cu 薄膜；溅射功率；放电时间；择优取向；电阻率
中图分类号：O484 文献标识码：A 文章编号 1002-0322 （2009)02-0015-04
：
Influence of argon ion bombardment and sputtering power on the structure and
properties of Cu thin film
ZHOU Xu-le ，TANG Zheng-fang ，JI Rui, SHENG Jiao
(Department of Physics, Jinan University, Guangzhou 510632, China Industry)
Abstract ：Cu thin films were grown on PI (polyimide) flexible substrates by DC magnetron sputtering. The influence of the
argon ion bombardment and sputtering power on the contact angle, preferred orientation, average grain size and resistivity of
the thin film were characterized with contact angle tester, XRD, four -point probe method and other instruments. The result
showed that the contact angle decreases with lengthening bombarding time, and the angle becomes smallest, ie., 45 ° , if
bombarding for 3min but the contact angle will increas if the bombarding time is lengthened further.
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