磁控溅射工艺控制模式比较.pdfVIP

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磁控溅射工艺控制模式比较

第 卷 第 期 光 学 仪 器 )’ $R shio)’-‘ho$R 年 月 )## $R 4$/c[7pc‘m/*.%‘/m #euebyef-)## 文章编号!##$% $’#()##*$+% ##’% #$ 磁控溅射工艺控制模式比较, 郑舒颖 陈少扬 - 中南实业国际 深圳 有限公司 广东 深圳 ( ( * - 0 $0)1* ./ 摘要 对各种磁控溅射的工艺参数控制技术进行比较 分析各自的特色 并指出光学厚 ! - - 度监控对于制备精密光学多层膜的反应溅射工艺的重要性2 关键词 反应磁控溅射 溅射工艺控制 电介质薄膜 ! 3 3 中图分类号! 50565 文献标识码! 4 7 89:;:=?@?A9:B?CDB?EFCCE?@=B?;G?HFC@BF:E=9FG:I@F=B?@CD==FB@I R - R JKLMN OPQSTUV WKLM OPXYZXUV ( ( * o o- 0- $0)1- * [\]^_‘ab c^def^adgh^aic^j]kdfl m\e^n\e^ [h pdj ./ m\e^n\e^ [\g^a ! o qrC=B:E=safgh]ktfhuekkuh^dfhibhjekg^feaudgveba_^edfh^kt]ddefg^_wefeevai]adej 7kg^jgR - uadejg^d\gktatef htdguaid\gux^ekkbh^gdhfg^_wakb]u\bhfegbthfda^dg^d\etfeugkgh^htdguaib]idgR o ialeftfhj]udgh^ylfeaudgvekt]ddefg^_tfhuekkek ! 3 3 zF{|?BHCfeaudgveba_^edfh^kt]ddefg^_ kt]ddefg^_tfhuekkuh^dfhi jgeieudfgud\g^}gibk ~ 引 言 磁控溅射技术制备金属化合物 尤其是电介质时 常会遇到一些问题 弧光放电 即打火 阴 - - ! ( - *- afug^_ 极中毒 以及阳极隐没 等 为了改善磁控溅射稳定性和重复性 提高沉积率 近十年 - ( * 2

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