CdTe薄膜的制备及其光电性能的研究.pdf

增刊 太 阳 能 学 报 sI巾州。，ent ENERGIAFSO【舢ISSINIo～ AI，2003 2∞，年4月AcTA 文章编号：0254一帅96【2003)增刊一0066—04 cdTe薄膜的制备及其光电性能的研究 吴洪才，毛小龙，薛大顺，肖 敏，刘效增 (叫安变通太学，西安710049 摘要：介绍利用真宅化合法合成的碲化镉(cdTc)材料制备的cdTe薄膜结构，电学，光学性能的分析研究结果。将离 于注入技术引进到咧丁k薄膜的改性研究中，实验发现，离子注入可以改善材料的结晶情况以及光学和电学性能。有口， 能利用(0Te粉末材料一次制作适合于廉价薄膜太阳光电池的优质的p型(H1■薄膜。 关键词：刚Te薄膜；x射线衍射；离子注人 中田分类号：TK514 文献标识码：A 台，将其混合料置于真空中加热，控制其化合温度， O引 言 可获得CdTe化合物材料，经过一定程序的后处理， 化石能源的逐步枯竭所引起的能源问题逐渐引 最后可得到质量优良的和较高纯度的Cd，l、e粉末材 起各国政府的重视，各国纷纷制定合理的能源政策。 料…。 开发新能源，特别是对太阳能的开发也是各国政府 利用所制得的cdlk粉末材料，采用真窄蒸发 和能源科学家的共识，开发出了各类太阳电池。其 的方式来制备薄膜。在蒸发CciTe薄膜的同时，控 中晶体硅类电池是成熟的电池，f且是价格比较昂贵， 制蒸发单质1、e以形成富Tb相的cdTe薄膜，最后 大规模的应用推广存在有比较大的困难。因此，人 对(爿1、e薄膜进行加热处理，即可获得性能优良的I， 们在寻找新的廉价的光电材料来制作廉价的太阳光 型的CdTe薄膜。 电池。用各种方法可以获得高质量的薄膜；且电池 2结构分析 结构简单，较易实现规模化生产”j是近年来国内外 研究发展的热点之一【4。J。cdS／CdTe薄膜电池是将最后得到的薄膜作x射线衍射图谱分析 其中发展较快的廉价薄膜太阳光电池之一。cd’I、e (xRD)，如图l和图2所示。在图l中样品1是同 是～种性能良好的半导体材料，其能隙E。=1．50等量的Cd和Te反应而制备生成的薄膜，没有经过 J。 热处理。从图中可以看到，在衍射角23．82。有一很 ev【“。有较高的理论转换效率(可达加～15％)。2 我国的例Te薄膜电池仍处于研究阶段，其开发技 强的峰，经放大分析，发现分别在2548。、39．42。、 术尚束成熟。我们采用真空化合的方法制备出了 46．48。处还存在有较弱的衍射峰。23．82。是棕色薄 cdTe粉末材料【5j，其性能指标达到国际20世纪90膜面心立方结构的cdl、e薄膜密堆积(111)面择优 年代的水平。 生长而成，后两个位置39．424、4648。处的小峰分别 直接利用合成的cdlb粉末材料来制备薄膜太 阳电池，一方面简化电池制备工艺，另一方面还可以 宏观表面平行的几率小，所以出现弱峰。另外在 降低镉粉材料在太阳电池制作工艺线上的污染程度。 2232。和25．48。附近还存在CdTe立方结构的 本文通过对cdTe电池材料的相关各项性能进(101)面择优生长的小峰出现，但这种物相的量很 行测试研究，为开发廉价薄膜太阳光电池的研究和 小。样品2是用上述方法制得并经过热处理的薄 广泛应用奠定基础。 膜，可看到，衍射图样(111)面的强度下降，而且在 27．76。出现单质1k的(101)面衍射峰