Ce、V共掺杂BiFeO3多铁薄膜及其电性能研究.pdf

袁 娜等：Ce、V共掺杂BiFeOa多铁薄膜及其电性能研究 Ce、V共掺杂BiFe03多铁薄膜及其电性能研究’ 袁 娜，刘 军，刘文秋，李美亚，赵兴中 (武汉大学物理科学与技术学院，湖北武汉430072) 摘 要： 采用sol—gel法在Pt／Ti／Si02／si衬底上成 功制备出纯BiFe03(BFO)和Ce、V共掺杂Bio．97Ce。．。3 和Nb5+的共掺杂能有效改善BFO薄膜的介电和铁电 Fe卜，V，03(z=0，0．01，0．02，0．03)(BCFVx)薄膜。 结构和形貌测试表明，Ce、V共掺杂使得BFO薄膜发 BFO陶瓷的漏电流密度和改善介电性能。作为镧系 生从菱方结构到伪四方结构的转变，且薄膜晶粒变小。 介电性能和漏电流测试表明，Ce、V共掺杂BFO薄膜 的介电常数增大，介电损耗和漏电流密度减小。铁电 性能测试表明在z一0．01时，BCFV 0．01薄膜具有较 滞回线和良好的抗疲劳特性。然而，在A位Ce掺杂 好矩形度的电滞回线，表现出较好的铁电性能。 含量相同的条件下，对BFO薄膜进行不同含量B位掺 关键词： BiFe03；sol—gel技术；离子掺杂；铁电性能； 杂的研究报道却并不多见。作为高价离子的V5+，可 漏电流 以期望其B位掺杂改善BFO的电性能。因而我们采 中图分类号：0487；0482．41文献标识码：A 文章编号：1001—9731(2011)03—0421-04 1 引 言 多铁性材料是指同时具有铁电性和铁磁性甚至铁 的条件下，B位V掺杂对BFO薄膜的晶格结构、表面 弹性的两种或两种以上铁性的材料…。由于这种材料 形貌和电性能的影响。 同时具有铁磁有序和铁电有序，在一定温度范围内存 2 实 验 在磁电耦合的特性，使其在信息存储、自旋电子器件以 及磁电传感器等方面都具有应用潜力[21]。在所有的 单相多铁性材料中，BiFeO。(BF0)具有R3e空间点 群、斜方扭曲的单相钙钛矿结构和G型反铁磁序。且 (V：O。)fie为初始原料，以硝酸．乙二醇甲醚和冰醋酸 在室温下能同时表现出铁电性和磁性。由于BFO具 为溶剂，根据所需的化学计量比配制BiFeO。和Bi¨， 有较高的铁电居里温度(R约1103K)和较高的反铁 磁奈尔温度(T。约643K)，因而最具可能成为首选的 铋含量过量5％以补偿热处理过程中铋的挥发损失。 室温下应用的多铁性材料，从而引起了世界各国科学 家的广泛关注【s’6J。 然而，由于BFO材料中存在氧空位或非化学计量 比等电荷缺陷。导致样品的漏电流密度较大。在室温下 述涂膜和烘烤、热解过程．得到所需厚度的薄膜，最后 难以观测到饱和的电滞回线，从而限制了该材料本身 铁电性能的贡献¨’8]。为了改善BFO的电性能，人们 法在薄膜表面镀上圆形Pt电极，电极直径为0．2mm， 常常采用掺杂改性的方法，如利用+3价的镧系元素 以测试其电学性能。 离子La3+、Nd3十、Sm”、Ce3“。。Ⅲ进行A位掺杂替代 利用X射线衍射(XRD)分析(D8Advance衍射 易挥发的Bi3+离子以抑制氧空位的产生．利用高价离 仪，德国Bruker公司)对制备的薄膜进行晶相分析，采 子Nb5+，Mn”．Ti4+，V5+D4-1s]进行B位掺杂替代部