Al2O3基陶瓷及玻璃基底制备Ta-N薄膜微结构与电学特性的比较研究.pdf

A1203基陶瓷及玻璃基底制备Ta—N薄膜微结构与电学特性的比较研究／马扬昭等 ·23· 马扬昭，谢中，周艳明，夏丰金，冯双磊，李科 (湖南大学物理与微电子科学学院，长沙410082) 摘要 在Nz、Ar气氛中，采用反应直流磁控溅射法在Al：03基陶瓷及玻璃基底上制备了Ta-N薄膜，并对各 样品的形貌结构、化学组分及电学特性进行了比较分析研究。结果表明．沉积于Al。()3陶瓷及玻璃基底的Ta-N薄 膜分别呈团簇状生长与层状肾密堆积生长；A12U陶瓷基底沉积的Ta—N为单相薄膜，而玻璃基底上的Ta—N薄膜。 随N2、Ar流量比增加，呈单相向多相共存转变；薄膜表面形貌和微结构与基底材料的原始形貌和微结构紧密相关， 这说明基底材料对薄膜的形成有重要的影响；N。、Ar流量比相同时，玻璃基底上沉积的Ta-N薄膜电性能优于AJ：(^ 基陶瓷基废上沉积的Ta—N薄膜。 关键词 Alz03基陶瓷基底玻璃基底Ta—N薄膜反应磁控溅射氮分压电阻温度系数 文献标识码：A 中图分类号：T1343；0484．4；TM544 ofMicrostructureandElectrical ofTa。NFilms Comparison Properties on CeramicandGlassSubstrates Alz03一based Deposited MA Ke Yangzhao，XIEZhong，ZHOUYanming，XIAFengjin，FENGShuanglei，LI (Schoolof Science．Hunan 410082) Physics＆MicmelectronicsUniversity，Changsha AhstradTa—N films reac— thin were onA12(h—basedceramicand substratesDC deposited glass by mamgnetron tire in ambientwithdifferentflowrates．The sputteringN2／Ar N2 component mo!‘phology，microstructure，chemical andeleetrical were resultshowsthattheTa-Nthinfilms 013 ceramic studied．The A1203一based properties deposited with substrates clusterscomposedofnumerous thefilms onthe substrates grow nanoerystal／ites。whiledepositedglass inthe Of