EWT背结电池中的激光刻槽及腐蚀工艺的研究.pdf

第30卷第1期 太阳能学报 V01．30．No．1 2009年1月 SINICA ACTAENERGIAEs0I．ARIS Jan．，2009 EWT背结电池中的激光刻槽及腐蚀工艺的研究 刘 维1，周春兰2，唐 煜2，王文静2，赵海雷1 (1．北京科技大学材料学院，北京100083；2．中科院电T研究所，北京100080) 摘 要：采用激光刻槽的方法制备电池背面结构，用化学腐蚀的方法对槽区进行清槽和刻蚀损伤层处理。当激光 平整光滑而侧壁垂直陡峭，同时损伤层也得到较为理想的刻蚀效果，能满足后续工艺的制备要求。激光刻槽工艺 简单效率高，在保证电池效率的基础上降低了成本，适合EWT背结电池产业化。 关键词：EwT背结电池；激光刻槽；损伤层；少子寿命 中图分类号：TM914．4文献标识码：A 杂，容易引入对人体有毒的化学物质。本文采用激 0引言 光刻槽的方法来制备电池背面结构，包括发射区和 研汀(Emitter WrapThrough)背结太阳电池的特 基区等。激光刻槽1二艺／|乇j对简单、效率高，在保汪电 殊结构是把所有的金属栅线置于电池后表面，通过 池效率的基础上可降低成本，适合日汀电池产业 前后表面的发射极来收集电子，并通过镀有金属的 化。目前激光刻槽工艺的主要问题是：①刻槽精度 孔把前后表面收集的电子传导到电极上，如图1…所 相对于光刻技术较低，由于太阳电池相对于半导体 。示。这种电池町能是下一代晶体硅电池之一，其具 技术对精度要求不是很高，同时随着激光技术的不 有增加前表面对光线的吸收、增加对载流子的收集、 断发展，这个问题可以得到较好解决；②易引入损伤 简化电池片的组装[23三大优点。因此该电池的原材 层，增加了少子的复合中心，但通过优化激光刻槽工 料可用具有较短扩散长度的传统光伏材料(如太阳 艺参数和后续的化学腐蚀工艺参数町以刻蚀损伤 能级Cz—si和Trle．Si)，并且在制备过程中对电极栅线 层，从而减少其对太阳电池性能的影响。由于刻蚀 的精度要求不足很高，从而降低对电极制备设备的 的槽中部分区域将用来制备电极，为了形成好的欧 要求…。 姆接触电阻，这就要求硅片表面平整光滑而侧壁垂 直陡峭bJ。本文主要通过扫描电子显微镜(sEM)观 察化学刻蚀前后槽的形貌变化以及少子寿命测试监 测损伤层的刻蚀情况这两种方法，研究激光刻槽工 艺参数、化学腐蚀清槽工艺和对损伤层刻蚀的影响。 1 实 验 图1 EWT背结电池结构模型 1．1 激光刻槽工艺参数设计 —。擘‘．1。掣芝芝：篾翟蔓a=．!三型二笔。、．，。 EWT电池背表面的n区和p区采用叉指状结 士沣E∑：曼翼冀篡筢竺婴孽竞妻凳多爹量要娄型构，然后用：最。蕃荟藉二≤磊i之葛丕崔荟蔷兰磊 方法，其优点是设计精度高，缺点是制备工艺较复 ””““～”_～川1一～“■”’f一…■一■■ij一 分离开(例如n+和P+)。由于背面具有p／n结，其也 收稿日期：2007-09-05