ZnOP-Si异质结的光电特性研究.pdf

第29卷第11期 光 学 学 报 V01．29，No．11 2009年11月 ACTAOPTICASINICA 文章编号：0253—2239(2009)11-3232—04 ZnO／P．Si异质结的光电特性研究 齐红霞1’2 陈传祥2 (1徐州师范大学物理与电子工程学院，江苏徐州221116；2济宁学院物理系，山东曲阜273155) 摘要利用脉冲激光沉积方法在P-Si(100)衬底上生长ZnO薄膜，制备zn0／Psi异质结，研究衬底温度对异质结 向暗电流随着衬底温度的升高略有增加，在550℃下制备的样品具有最明显的光电效应。ZnO／P—Si异质结对可见 光和紫外光呈现出不同的响应性。在可见光照射下，光电流随反向偏压急剧增大，偏压增大到某一值时，光电流增 速变小，而在紫外光下，光电流有逐渐增大的趋势。根据ZnO的透射谱认为，可见光和紫外光是异质结不同的耗尽 区诱导电子一空穴对产生光电流的。 关键词 薄膜光学；光电效应；脉冲激光沉积；ZnO 中图分类号 TN364文献标识码 A doi：10．3788／AO3232 PhotoeIectricEffectsof ZnO／P-Si Heterojunction Qi Chen Hongxial2Chuanxian92 of andElectronic Normal 22111 CollegePhysics Engineering，XuzhouUniversity，Xuzhou，Jiangsu ／1 6，China、 ＼ 2 273155，China ／ DepartmentofPhysics，JiningUniversity，Qufu，Shandong AbstraetZnO／P—Si arefabricated 1aser ofZn0filmsonP—Sisubstrates．The heterojunctionsbypulsed deposition substrate of400℃，500℃，550℃and600℃aretakenfortheZnOfilm the temperatures deposition．A11 show behaviorsandthereversedarkcurrentincreaseswiththesubstrate heterojunctionstypicalrectifying at550℃showsthebest effects．Therearedifferent／-V temperature．Thesampleprepared photoelectric characteristicsasthe heteroiunctioniS tovisibleand ZnO／P—Si exposed photocurrent increasesintheinitialseveral acertainreversebias the is rapidly voltages，butslowlybe