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ZnSb复合薄膜材料的制备及其在低温下的热电性能研究.pdf

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ZnSb复合薄膜材料的制备及其在低温下的热电性能研究.pdf

第17卷第6期 功能材料与器件学报 V01.17.No.6 0FFUNCTl0NALMATERIAISANDDEVICES Dec..2011 2011年12月 JOURNAL 文章编号:1007—4252(2011)06—0538—05 Zn/Sb复合薄膜材料的制备及其在低温下的热电性能研究 疏敏,王学生,代晶晶,戚学贵 (华东理工大学机械与动力工程学院上海200237) 摘要:采用磁控溅射的方法,两个单靶依次在si(100)基底上循环5次溅射制备了zn/sb多层复 变化情况。采用xRD、AFM对其结构和表面形貌进行分析,发现制备的薄膜表面光滑、致密,无大 颗粒,呈现出晶面择优生长的现象。实验结果表明:当调制比为4:1时,zn/Sb薄膜的功率因子最 高,且其最大值达到在174K时的7543.54斗W/mK2,但随着温度的升高,其值迅速的下降,变化趋 势和幅度都很明显。关键词:zn/Sb薄膜;磁控溅射;Seebeck系数;电导率 中图分类号: 文献标识码:A The andResearchonPerfbmanceofZn/Sbt】llinmI璐 Prepa髓tion SHU Min,WANG xue—sheng,DAIJing-jing,QIxue—gui ofMechanicalandPower (School Engineering, EastChina ofScienceand University Technology,Shanghai200237) thin Zn/Sb filmswere was Abstract:The method,which multi—layer preparedbymagnetI-onsputtering 6vetimestwo variationsoftheSeebeck elec— sputteI℃don(100)Siby single coemcient,the target.The tric andthe faetorofthreeZn/Sb wasofmodulationmtioof conductivitypower compositefilms,which 1: and inafixedmodulationof studiedinthe 1,3:2 4:1respectively period40nm,were temperaturemnge f而m160Kto thestlllctureandsu血ce XRDand 6lmsurface 250K.Analyzing appeamnceby AFM,the was The of 61ms

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