128#215;128短波中波双色红外焦平面探测器.pdf

第29卷第6期 红外与毫米波学报 V01．29，No．6 2010年12月 Millim．Waves December，2010 J．Infrared 文章编号：1001—9014(2010)06—0415—04 128×128短波／中波双色红外焦平面探测器 叶振华1， 尹文婷1，_， 黄 建1”， 胡伟达1， 陈 路1， 廖亲君1， 陈洪雷1， 林春1， 胡晓宁1， 丁瑞军1， 何力1 (1．中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室，上海200083； 2．中国科学院研究生院，北京100039) focal PN型碲镉汞 planearrays，IRFPAs)的研究成果．基于由采用分子束外延(MBE)和原位掺杂技术生长的P…P (Hg。一。cd。Te)多层异质结材料，通过B+注入、台面腐蚀、台面侧向钝化和爬坡金属化，以及双色探测芯片与读出电 X 路(Readout Circuit，ROIC)混成互连等工艺，得到了128128面阵双色焦平面探测器．通过湿化学腐蚀方 Integrated 法的优化，将光敏元尺寸为(50×50)Ixm2的双色微台面探测器的占空比提高了一倍．该面阵双色红外焦平面探测 器具有较好的均匀性和正常的光电特性．在液氮温度下，二个波段的光电二极管截止波长A，分别为2．71．Lm和 4．9tun，对应的峰值探测率D二分别为1．42×10“cmHz“2／W和2．15×10”cmHz“2／W． 关键词：HgCdTe；湿化学腐蚀方法；双色微台面隔离；峰值探测率 中图分类号：TN305．7；TN304．2+5文献标识码：A 128×128 TWO·COLORIRFPAs SW／MW HgCdTe YE Zhen．Hual，TIN Jianl’。，HUWei—Dal，CHENLul，L1AOQin—Junl， Wen-Tingm，HUANG CHEN Lil Chunl，HU Rui．Junl，HE Hong—Leil，LIN Xiao．Nin91，DING ofInfrared Materialsand InstituteofTechnical (1．KeyLaboratory Imaging Detectom，Shanghai Physics， Chinese of AcademySciences，Shanghai200083，China； 2．GraduateSchoolofChinese of AcademySciences，Beijing100039，China) Abstract：Theresultsof128×128SW／MWtwo．color infraredfocal HgCdTe planearrays(IRFPAs)werepresented．By metallizationand with B+·im