非易失性铁电存储器(FRAM)芯片.pdfVIP

16Kbit 非易失性铁电存储器（FRAM ）芯片FM25C160 原 理及其应用 哈尔滨理工大学测控技术与通信工程学院 周宝国 The Principle of 16-Kbit Nonvolatile FRAM Chip FM25C160 and Its Application Zhou Baoguo 摘要：FM25C160 是美国Ramtron 公司生产的非易失性铁电介质读写存储器。它 具有高速读写，超低功耗和无限次写入等特性。文中介绍了 FM25C160 的性能 特点﹑管脚定义﹑内部结构和工作原理。给出了 AT89C51 单片机与 FM25C160 的接口电路图和对FM25C160 的写操作流程图。 关键词：铁电存储器(FRAM)；FM25C160 ；SPI 总线；写保护 1．概述 传统半导体存储器主要有两大体系：易失性存储器（volatile memory）和非 易失性存储器（non-volatile memory）。易失性存储器主要包括静态随机存储器 SRAM和动态随机存储器DRAM 。非易失性存储器主要包括掩模只读存储器OTP RAM﹑可紫外线擦除可编程只读存储器 EPROM ﹑可电擦除可编程只读存储器 EEPROM﹑可快速电擦除可现场编程的快闪存储器Flash Memory 和用高能量锂 电池作静态读写存储器后备电源的非易失静态读写存储器NVSRAM 。 SRAM 和 DRAM 等易失性存储器在没有电的情况下都不能保存数据。 EPROM﹑EEPROM 和Flash 等非易失性存储器虽然在断电后仍能保存资料，但 由于这类存储器均源于只读存储器（ROM）技术，因此都有不易写入的缺点。 FRAM 是由美国Ramtron 公司生产的非易失性铁电介质读写存储器。其核心 技术是铁电晶体材料，这一特殊材料使得铁电存贮产品同时拥有随机存储器 (RAM) 和非易失性存储器的特性。 铁电晶体材料的工作原理是: 当我们把电场加载到铁电晶体材料上，晶阵中 的中心原子会沿着电场方向运动，到达稳定状态。晶阵中的每个自由浮动的中心 原子只有两个稳定状态，一个我们记作逻辑0 ，另一个记作逻辑1。中心原子能 在常温﹑没有电场的情况下停留在此状态达一百年以上。由于在整个物理过程中 没有任何原子碰撞，铁电存储器(FRAM)拥有高速读写，超低功耗和无限次写入 等特性。 FM25C160 是16Kbit 串行FRAM ，它的主要特点如下： ● 采用2048 ×8 位存储结构； ● 读写次数高达1 百亿次； ● 在温度为55℃时，10 年数据保存能力； ● 无延时写入数据； ● 先进的高可靠性铁电存储方式； ● 连接方式为高速串行接口（SPI）总线方式，且具有SPI 方式0 和3 两种 方式； ● 总线频率高达5MHz； ● 硬件上可直接取代EEPROM； 地址：宝安南路3083 号蔡屋围发展大厦2403 室 1 ADD ：Unit 2403.Caiwuwei Development Building Nr.3083,Baoan South road .Shenzhen. China 电话(Tel)：+86-755传真(Fax) ：+86-755邮政编码：518008 ● 具有先进的写保护设计，包括硬件保护和软件保护双重保护功能； ● 低功耗，待机电流仅为10 μA； ● 采用单电源+5V 供电； ● 工业温度范围：-40 ℃至+85 ℃； ● 采用8 脚SOP 或DIP 封装形式； 基于以上特点，FM25C160 非常适用于非易失性且需要频繁快速存储数据的 场合。其应用范围包括对写周期时序有严格要求的数据采集系统和使用 EEPROM 时由于其写周期长而可能会引起数据丢失的工业控制等领域。 2 ．FM25C160 的引脚定义