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TFTLCD制造用钼薄膜溅射及其靶材
第 35 卷 第 1 期 中 国 钼 业 Vol. 35 No. 1
2011 年 2 月 CHINA MOLYBDENUM INDUSTRY February 2011
TFT - LCD 制造用钼薄膜溅射及其靶材
1 1,2 1
, ,
赵宝华 范海波 孙院军
( 1. , 7 10077)
金堆城钼业股份有 限公司技术中心 陕西 西安
( 2 . , 7 10069)
西北大学物理系 陕西 西安
: ,
摘 要 薄膜 晶体管作为关键器件直接影响薄膜 晶体管液 晶显示器 的性能 钼作 为 电极和布线在薄膜 晶体管 的制
。 ,
造 中具有重要应用价值 本文在简要介绍薄膜 晶体管液 晶显示器 的结构和原理基础之上 重点讨论 了钼在其生产
、 。
过程中的应用 钼薄膜 的磁控溅射制备方法和工艺参数要求 以及钼靶材 的研究现状
关键词: 薄膜 晶体管液 晶显示器; 钼薄膜; 钼靶材; 磁控溅射
中图分类号: TF84 1. 2 文献标识码: A 文章编号: 1006 - 2602( 2011) 01 - 0007 - 05
MOLYBDENUM SPUTTERING FILM AND TARGET FOR TFT - LCD MANUFACTURE
ZHAO Bao - hua1 ,FAN Hai - bo1 ,2 ,SUN Yuan - jun1
( 1. Technical Center ,Jinduicheng Molybdenum Co. ,Ltd. ,Xi'an 7 10077 ,Shaanxi ,China)
( 2 . Department of Physics ,Northwest University ,Xi'an 7 10069 ,Shaanxi ,China)
Abstract: As the key component ,thin - film transistor directly determines the property of the thin - film transistor
liquid crystal display ( TFT - LCD) . As the electrode and writing material ,molybdenum has important applied val-
ue in the production of TFT - LCD. Upon the fundamental structure and principle of TFT - LCD ,this manuscript
emphasizes during the TFT - LCD manufacture process the application value of molybdenum ,the preparation meth-
od and technical parameters of mo
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