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TFTLCD制造用钼薄膜溅射及其靶材

第 35 卷 第 1 期 中 国 钼 业 Vol. 35 No. 1 2011 年 2 月 CHINA MOLYBDENUM INDUSTRY February 2011 TFT - LCD 制造用钼薄膜溅射及其靶材 1 1,2 1 , , 赵宝华 范海波 孙院军 ( 1. , 7 10077) 金堆城钼业股份有 限公司技术中心 陕西 西安 ( 2 . , 7 10069) 西北大学物理系 陕西 西安 : , 摘 要 薄膜 晶体管作为关键器件直接影响薄膜 晶体管液 晶显示器 的性能 钼作 为 电极和布线在薄膜 晶体管 的制 。 , 造 中具有重要应用价值 本文在简要介绍薄膜 晶体管液 晶显示器 的结构和原理基础之上 重点讨论 了钼在其生产 、 。 过程中的应用 钼薄膜 的磁控溅射制备方法和工艺参数要求 以及钼靶材 的研究现状 关键词: 薄膜 晶体管液 晶显示器; 钼薄膜; 钼靶材; 磁控溅射 中图分类号: TF84 1. 2 文献标识码: A 文章编号: 1006 - 2602( 2011) 01 - 0007 - 05 MOLYBDENUM SPUTTERING FILM AND TARGET FOR TFT - LCD MANUFACTURE ZHAO Bao - hua1 ,FAN Hai - bo1 ,2 ,SUN Yuan - jun1 ( 1. Technical Center ,Jinduicheng Molybdenum Co. ,Ltd. ,Xi'an 7 10077 ,Shaanxi ,China) ( 2 . Department of Physics ,Northwest University ,Xi'an 7 10069 ,Shaanxi ,China) Abstract: As the key component ,thin - film transistor directly determines the property of the thin - film transistor liquid crystal display ( TFT - LCD) . As the electrode and writing material ,molybdenum has important applied val- ue in the production of TFT - LCD. Upon the fundamental structure and principle of TFT - LCD ,this manuscript emphasizes during the TFT - LCD manufacture process the application value of molybdenum ,the preparation meth- od and technical parameters of mo

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