IGBT模块工作原理以及检测方法 .pdf

特别说明 此资料来自百度文库（/） 您目前所看到的文档是使用的抱米花百度文库下载器所生成 此文档原地址来自 感谢您的支持 抱米花 http :///lotusbaob 模块工作原理以及检测方法模块工作原理以及检测方法模块工作原理以及检测方法模块工作原理以及检测方法 IGBT IGBTIGBTIGBTIGBT模块简介模块简介模块简介模块简介 IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（绝缘栅双极型晶体管）的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。 IGBT的等效电路如图1所示。由图1可知，若在IGBT的栅极G和发射极E之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极C与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极G—发射极E间施加十几V的直流电压，只有在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。 图1 IGBT的等效电路 2 IGBT2 IGBT2 IGBT2 IGBT模块的选择模块的选择模块的选择模块的选择 IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作用作用作用作高频开关时高频开关时高频开关时高频开关时，，，，由于开关损耗增大由于开关损耗增大由于开关损耗增大由于开关损耗增大，，，，发热加剧发热加剧发热加剧发热加剧，，，，选用时应该降温等使用。 3 3 3 3 使用中的注意事项使用中的注意事项使用中的注意事项使用中的注意事项 由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由 于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到击穿电压一般达到击穿电压一般达到击穿电压一般达～～～30V30V30V30V。因此因静电而导致栅极击穿是因静电而导致栅极击穿是因静电而导致栅极击穿是因静电而导致栅极击穿是IGBTIGBTIGBTIGBT失效失效失效失效的常见原因之一的常见原因之一的常见原因之一的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点： 1. 在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸； 2. 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块； 3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。 在