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沉积温度对PECVD制备碳纳米管形貌的影响

第柏卷第4期 人 工 晶 体 学 报 v。I.40No.4 2011年8月 JOURNALOFSYNrr|lETICCRYSTA【s 1 August,20l 沉积温度对PECVD制备碳纳米管形貌的影响 席彩萍1’2,王六定1,王小冬1,李昭宁1 (1.iHi-lt.r:业大学应用物理系,西安710072;2.渭南师范学院,渭南714000) 摘要:采用等离子体增强化学气相沉积技术,以c:}12、H:和N2为反应气体,在镀Ni催化剂的si基底上成功制备出 多壁碳纳米管薄膜。采用扫描电镜研究了沉积温度对碳管形貌的影响,进一步通过扩散机制分析了多种形貌 CNTs的生长机制。结果表明:沉积温度对催化剂的刻蚀和碳纳米管薄膜的形成起着决定作用,获得定向性良好、 分布均匀、密度适中的碳纳米管的最佳温度是700℃。 关键词:多壁碳纳米管;沉积温度;PECVD 中图分类号:TQl27 文献标识码:A Effectof onthe ofCarbon TemperatureMorphology Depositing Nanotubes PlasmaEnhancedChemical Synthesizedby VaporDeposition Liu—din91,WANGXiao.don91,LIZhao—nin91 X/Cai-ping‘”,WANG 0f Polytechnical (1.DepamnentAppliedPhysics,NolthwcstexnUnivemity,xi柚710072。China; 2.WeinanTeachen University,Weinan714000。China) 11March 2011) (Recehzd 201I,mⅨ尹‘耐13May onSi Niag carbonnanotubeswere substrates访t}I Abstract:Mud.walled prepared catalystbyplasma enhancedchemical and effectof gas.The capordepositiontechnologyusingC2H2,H2 N2鹊reactive onthe carbonnanotubesand mechanismswere structureof analyzed depositingtemperature growth deeply results

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