界面改善对PVDFcoCTFEBST复合材料介电和储能性能影响.pdfVIP

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2015-09-30 发布于重庆
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界面改善对PVDFcoCTFEBST复合材料介电和储能性能影响

（）年第期卷１８９４２０１２１４４３界面改善对（）／复合材料介电ＰＶＤＦｃｏＣＴＦＥＢＳＴ－－和储能性能影响＊，１２２１１，，，夏卫民张志成陈源清曹从军（，；西安理工大学印刷包装工程学院陕西西安１．７１００４８，）西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室陕西西安２．７１００４９：（，（（））摘要用溶胶凝胶法合成了钛酸锶钡ＢａＳｒＴｉＯ乙烯共聚二氟氯乙烯ＰＶＤＦｃｏＴｒＦＥｃｏＣＦＥ在　　－３－－－－－－［］），／，／３７。ＢＳＴ陶瓷获得了粒径为５０ｎｍ左右的高活性纳米陶５００ＭＶｍ的极化电场下储能密度可达１３Ｊｃｍ，（）。瓷粉体并通过硅烷偶联剂ＫＨ５５０进行了表面处理更值得关注的是经拉伸后的聚偏氟乙烯三氟氯乙烯－（（）），将表面处理后的ＢＳＴ粉末与含氟铁电聚合物聚偏氟ＰＶＤＦｃｏＣＴＦＥ可以成为低极性的晶型在－－ α ［］乙烯三氟氯乙烯（（）