V掺杂ZnO薄膜的室温铁磁性.pdfVIP

第34卷，第3期／ 河北师范大学学报／自然利学版／ V01．34No．3 201 JOURNALOFHEBEINORMALUNIVERSITY／NaturalEdttion／ 0年5月 Sctence May．2010 V掺杂ZnO薄膜的室温铁磁性 李 莉1， 赵瑞斌2， 侯登录3 (I．石家戊邮电职业技术学院电信工程系．河北fi家JE050031；2．河北医科大学疆础教4#部．河北行家庄05001l； 3．河北师范大学物理科学与信息工程学院，河北石家JE050016) 摘 要：采用磁控溅射法在Si基底七制备了zn。一，V，O系列薄膜样品，X射线衍射表明所有样品鄙具有纤锌 矿结构，没有发现其他的衍射峰存在．研究发现，c轴晶格常数随着掺杂浓度的增加丽增大．原子力显微镜测量表明 样品中的颗粒分布均匀，没有发现团聚物．磁性测量表明。直接沉积的样品具有顺磁性，而经真空退火的所有样品 都具有明显的室温铁磁性，且随着掺杂浓度的增加，样品的饱和磁化强度增加． 关键词：射频磁控溅射；室温铁磁性；氧空位 中图分类号：O482．52+3文献标识码：A 文章编号：1000．5854(2010)03+0296．04 ZnO基稀磁半导体由于其可能具有较高的居里温度和饱和磁化强度引起了人们的研究兴趣【1-5]．一些 J 报道认为过渡元素掺杂ZnO具有室温铁磁性【l。】，另外一些报道认为过渡元素掺杂ZnO具有自旋玻璃态【4 或具有顺磁性【5J．很明显，过渡元素掺杂ZnO是否具有铁磁性与制备方法有关．即使样品具有室温铁磁性， J． 但就磁性起源而言，仍然存在着很大的争议[6-7 薄膜，居里温度达350 K，测量结果表明薄膜的磁性依赖于钒离子和载流子浓度．Behana等【11J通过PLD法 沉积了Znl一。V，O薄膜，结果表明所有薄膜显示室温铁磁性，并且发现随着载流子浓度的增加，薄膜的磁矩 增加． 尽管如上所述，实验上已经制备出具有铁磁性的Znl一，V：0材料，但相对于其他过渡金属(如Mn，Co 等)来说，zn。一。V：0材料的相关报道较少，V离子的饱和磁矩远低于理论值，并且关于铁磁性的起源及产生 机理，还没有明确的结沦．为了研究V掺杂ZnO是否具有铁磁性，以及铁磁性的产生机制，笔者采用射频磁 控溅射制备了系列Znl一：V，O样品． 1实验方法 000℃下预烧12 法在空气中l h，充分研磨后，压片，最后在1000℃空气下烧结12h而成．采用射频和直流 交替溅射，ZnO作为射频靶，V靶(纯度为99．999％)为直流靶．基本压强高于3×10-5Pa，工作气体为氩气， 气体流量为7．2×10-2Nm3／h，溅射压强为2．0Pa．使用射频和直流交替溅射，通过控制溅射时间来改变V 的浓度，在室温下沉积系列样品．最后，将沉积的薄膜样品在真空下600℃快速退火10min，将质量百分浓度 为5％的部分薄膜样品作为直接沉积样品． 2 结构分析 度的变化曲线，可看出随着掺杂量的增加c轴品格常数增大．这是由于V2+的半径(0．088nm)大于Zn2+的 半径(0．074 rim)，说明样品中V2+替代了Zn2+的位置，进入了晶格．这一结果与文献[10]一致． 收稿日期：2009．12-20 基金项目：河北省自然科学基金(E2005000178；E2007000280) 作者简介：李莉(1972一)，女，河北武安人，硕士，主要从事稀磁半导体研究工作 万方数据 ·297· 图1样品的X射线衍射图 图2样品c轴品格常数随浓度的变化 3磁学性质 3．1 样品的形貌和磁畴图 均匀